复合土钉墙的变形与稳定性分析

复合土钉墙在软土地基基坑工程中得到广泛的应用,其变形和稳定性分析是设计施工中的重要问题。采用平面应变有限元结合实际工程分析了复合土钉墙和搅拌桩重力坝的变形特性,土体本构模型采用硬化模型模拟土在卸荷条件下的变形特性,并在数值分析中利用强度折减法分析基坑开挖后的稳定性。文中给出了各典型工况下的围护结构工作性状,可为设计与施工提供参考。     

Suppression of electron leakage in 808 nm laser diodes with asymmetric waveguide layer

Electron leakage in GaAs-based separately confined heterostructure 808 nm laser diodes (SCH LDs) has a serious influence on device performance. Here, in order to reduce the energy of electrons injected into the quantum well (QW), an AlGaAs interlayer with a smaller Al component is added between the active region and the n-side waveguide. Numerical device simulation reveals that when the Al-composition of the AlGaAs interlayer and its thickness are properly elected, the electron leakage is remarkably depressed and the characteristics of LDs are improved, owing to the reduction of injected electron energy and the improvement of QW capture efficiency.     

高档普采工作面的矿压观测

一、概况自家庄矿2~#井22410工作面位于710大巷东北面约100m处,其右侧为已采工作面,左侧是未采区,距地表深为244～250m。所开采的2~#(9尺)煤层呈单斜构造,平均厚度2.43m,倾角13°～15°。煤层自顶板往下0.8m处有一层夹石,厚度为0.05～0.15m,煤层底板无底鼓现象,见图1。     

浅析现代企业如何加强经济合同管理

经济合同是现代企业生产经营活动必不可少的重要法律文书,如何有效管理经济合同成为衡量现代企业管理成败的标准之一。对合同实施全方位和全过程的科学化管理,有效控制企业经营风险,对推动企业提高管理水平和经济效益发挥作用重要。文章从企业经济合同管理中存在的主要问题、存在问题的原因及解决问题的对策几方面入手,探讨企业加强经济合同管理的相关问题。     

水平旋喷桩在富水砂层浅埋暗挖隧道中的应用

针对深圳某浅埋暗挖隧道穿越富水砂层的施工过程进行三维数值模拟分析,讨论了暗挖隧道在有、无水平旋喷桩超前支护措施时,围岩、支护的变形及应力变化规律。结合现场地面、初支量测成果,对数值模拟分析结果进行了验证、对比,得出水平旋喷桩超前支护对控制地面沉降、支护变形及支护应力效果显著。分析了现场水平旋喷桩施工存在的问题,有针对性的提出了解决方案与发展方向。所得结论为暗挖隧道的顺利施工提供了可靠依据,可为类似地质条件、结构形式的暗挖隧道设计、施工提供借鉴。     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭。实验发现非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者的却有明显减小;稍后再次加淬灭光前者的持续光电导无变化,而后者的有明显增加。我们认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭;认为掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位。     

氮化镓肖特基结紫外探测器的异常特性测量

测量了CaN肖特基结紫外探测器在有、无光照下的I-V异常特性。分别用362nm和368nm光束对有源区进行横向扫描,得到了光照不同部位时探测器在无偏压、2V反向偏压下的电流。紫外光照到肖特基结压焊电极附近及透明电极边沿附近区域时,探测器在反向偏压下有较大增益,空间响应均匀性变差,在禁带内有两个增益响应峰波长——364nm和368nm。探测器在810nm光照射下,反向偏压下的光响应增益、持续光电导存在光淬灭现象。探测器紫外光照完后,俘获中心及表面陷阱所俘获的部分电荷在高反向偏置电压下老化可以通过隧穿或发射效应释放出来,经过高反向偏置电压老化完后的探测器在同一低反向偏置电压下暗电流比老化前的要小。测量结果为GaN器件的研制提供了参考数据。     

一个新的重组酶系统在转基因植物外源基因删除中的应用

为了解决转基因植物可能带来的生物安全性问题,设计了一个新的位点特异性重组酶系统pLFHFGN,该系统中重组酶FLP基因由热激蛋白Hsp18．2基因的启动子控制,所有外源基因(包括重组酶基因nP、GUS报告基因和NPTI筛选标记基因)都置于两个融合识别位点loxFRT之间。将上述重组酶系统通过根癌农杆菌(Agrobacterium tumefaciens)介导转化烟草,获得的再生植株分别通过GUS组织染色和PCR分析等方法进行鉴定。然后在37℃下热激处理转基因植株,利用GUS组织染色检测重组酶系统在转基因植株T1代幼苗中删除外源基因的效率,结果显示,该系统删除效率达到了48．2％-84．9％,说明通过重组酶系统pLFHFGN能够有效地删除转基因植物中的外源基因,这为解决转基因植物潜在的安全性问题提供了一条新的途径。     

GaN基肖特基结构紫外探测器

在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法生长GaN外延层结构 ,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器 .测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线 .该紫外探测器在 5V偏压时暗电流为 0 4 2nA ,在 10V偏压时暗电流为 38 5nA .在零偏压下 ,该紫外探测器在2 5 0nm～ 36 5nm的波长范围内有较高的响应度 ,峰值响应度在 36 3nm波长处达到 0 12A/W ,在 36 5nm波长左右有陡峭的截止边 ;当波长超过紫外探测器的截止波长 (36 5nm左右 ) ,探测器的响应度减小了三个数量级以上 .该紫外探测器的响