引入GaN过渡层对Si（111）衬底上生长GaN外延的影响

本文研究了在Si(111)衬底上生长GaN外延层的方法。相比于直接在AlN缓冲层上生长GaN外延层,引入GaN过渡层显著地提高了外延层的晶体质量并降低了外延层的裂纹密度。使用X射线双晶衍射仪、光学显微镜以及在位监测曲线分析了GaN过渡层对外延层的晶体质量以及裂纹密度的影响。实验发现,直接在AlN缓冲层上生长外延层,晶体质量较差, X射线(0002)面半高宽最优值为0.686°,引入GaN过渡层后,通过调整生长条件,控制岛的长大与合并的过程,从而控制三维生长到二维生长过渡的过程,外延层的晶体质量明显提高, (0002)面半高宽降低为0.206°,并且裂纹明显减少。研究结果证明,通过生长合适厚度的GaN过渡层,可以得到高质量、无裂纹的GaN外延层。     

砷化镓激光器脊型波导的制备

本文主要研究了用湿法腐蚀的方法制备砷化镓激光器脊型波导,具体研究了砷化镓（GaAs）、铟镓磷（ InGaP）、铝镓铟磷（AlGaInP）材料的腐蚀。本文还成功地配制了能同时腐蚀铟镓磷和铝镓铟磷材料的腐蚀液。我们还分析了腐蚀时间和腐蚀浓度对脊型形状和脊型深度的影响。最后,在合适的条件下,本文得到了合适的脊型深度和光滑的脊型表面,而且得到的脊型的陡直度很小。这些结果表明这些腐蚀液将有用于激光器的制备。     

246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制

设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225～255 nm,峰值波长为246nm.材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中的Al组分为71%,非故意掺杂吸收层中的Al组分为52%.零偏压下测得的暗电流为27 pA,光电流为2.7nA,峰值...     

西铭矿9号煤层回采巷道合理位置的研究

通过对西铭矿下组煤８号煤层开采以后，在９号煤层中６个工作面９条回采巷道的统计分析，提出开采相同地质条件下，９号煤层中的合理巷道位置以及送道时间，从而带来的经济效益和社会效益。     

变跨径等截面箱形板拱桥拱圈施工技术研究及质量控制——北京市梅市口路新建永定河大桥工程

阐述了一种箱型板拱桥模架的新型施工工艺及施工过程,重点介绍了箱型板拱桥模板主龙骨微弯双钢管、倾斜混凝土上表面压模设计、箱型拱圈混凝土浇筑施工、配重混凝土、拱圈线形控制与研究等关键技术。     

蓝宝石衬底上侧向外延GaN中的位错降低

采用侧向外延(ELOG)方法,在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN.AFM,化学湿法腐蚀及TEM分析表明:采用两步法ELOG生长的GaN中,掩膜下方的缺陷被掩膜所阻挡,窗口区内二次生长的GaN的位错也大幅降低;在相邻生长前沿所形成的合并界面处形成晶界;化学湿法腐蚀无法得到关于合并界面处缺陷的信息.侧翼区域中极低的穿透位错使得ELOG GaN适用于在其上制作高性能的氮化物基激光器.     

利用淀粉的酿酒酵母基因工程菌研究进展

酿酒酵母是发酵工业的重要微生物，主要用于酒精、啤酒和面包工业。在酿酒酵母中已表达的淀粉酶基因包括α-淀粉酶基因和糖化酶基因。外源淀粉水解酶能在酵母中高效表达并分泌，其主要因素在于：在构建载体时组入强启动子；酿酒酵母中带有合适的酵母受体系统；具有外源淀粉酶蛋白的分泌信号；外源淀粉酶基因的遗传稳定性和生长介质。构建分解淀粉酿酒酵母已取得相当大的进展，但在构建的多数菌株利用糊精及淀粉的能力仍然有限，而且降解速率较慢。构建直接分解和利用淀粉的酵母工程菌，可简化工艺、节省能源和酶制剂、降低成本，有重要的应用前景。(孙悟)     

冬荪液体深层培养不同时期胞外代谢物研究

为探究冬荪液体深层培养不同时期代谢物动态变化及其关系,基于液体深层培养技术,超高效液相色谱-串联飞行时间质谱联用技术研究了不同发酵时间菌丝体分泌物差异情况。结果表明,534种差异代谢物隶属于有机酸及衍生物、有机氧化合物、苯丙素和聚酮类化合物等13个不同化学类别,有机酸类化合物占比为17.978%是发酵环境成酸性的主要原因。通过主成分分析和正交偏最小二乘判别分析,以FC>1.5或FC<0.67,P value<0.05为条件筛选鉴定到大豆苷,大豆苷元,水苏糖,反式-4-羟基-L-脯氨酸,L-二氢月桂酸盐,UDP-GlcNAc等37种特征代谢物。KEGG通路分析表明,差异代谢物显著富集在ABC转运蛋白、cAMP信号通路、半乳糖代谢等86条代谢途径,推测了冬荪水苏糖等胞外多糖的合成路径,对鬼笔属真菌胞外多糖研究具有指导意义。不同发酵时间代谢物种类和数量远高于已研究报道的子实体和菌丝体化学成分,为今后深层研究冬荪活性成分提供理论参考。     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.     

GaN/GaAs(001)与GaN/Al2O3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较

研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001)衬底上的六方相GaN(h-GaN) 外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较.实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律.对引起上述差异的原因进行了简单的讨论.