铁基合金粉末等离子喷涂成形件化学镀镍处理

针对铁基合金粉末等离子喷涂成形件表面耐腐蚀性能较差，结合其成分及微观结构特点，着重研究等离子喷涂成形件化学镀镍处理工艺，并讨论了相关问题。     

强流脉冲电子束热障涂层表面改性温度场数值模拟

采用了一维温度场模型,对强流(10 A·cm-2～-40 A·cm-2)、脉冲时间(10us～100us)、电子束辐照热障涂层过程中的温度场进行了数值模拟.模拟结果显示:靶材表层迅速熔化(甚至汽化),熔化层深度达到2.34um(汽化层深度0.12um);温度随时间变化率高达107 K·s-1～108 K·s-1,温度梯度大约109K·m-1;模拟结果与实验结果基本吻合.实验结果表明:经强流脉冲电子束轰击后,热障涂层性能得到改善,有利于热障涂层在工业中的应用.     

Preparation of Diamond-like Carbon Film Assisted in the Plasma of Dielectric Barrier Discharge at Atmospheric Pressure

Avarietyofmethodsforvacuumplasmadepositionofdiamond--likecarbon(DLC)filmshavebeenstudied.DLCfilmsaregrownonvarioussubstratesofpurehydrocarbonssuchasacetylene,methaneorbenzeneundertheconditionsoflowpressure(<3Pa)andnegativebiasofsubstratetomaximizethepositiveionfluxatthesubstrate[1].Dielectricbarrierdischarge(DBD)atatmosphericpressurehasbeenappliedbyS.P.Bugaevtoproducehydrogenatedamorphouscarbon(a-CfH)filmswithmethanedepositiongas[21.Thismethodisattractivebecauseitallowsfastd;positionofa-…     

热丝CVD制备微晶硅薄膜的研究

采用热丝化学气相沉积技术制备微晶硅薄膜,利用X射线衍射谱、Raman散射谱、透射光谱和扫描电子显微镜等检测手段,系统地研究沉积过程中沉积气压对微晶硅薄膜晶粒尺寸、晶态比和光学带隙的影响,运用Tacu法则对薄膜的透射率和厚度进行计算分析,得到薄膜光学带隙与沉积气压之间的关系,结果表明薄膜的光学带隙随着沉积气压的升高而单调下降。     

等离子喷涂成形技术制造薄壁零件

采用等离子喷涂成形法制造某些特殊材料的薄壁件 ,以保护那些不允许直接进行等离子喷涂的脆弱零件及贵重零件。以Al2 O3 ·TiO2 粉末为例进行试验研究 ,制得厚度为 0 .5～ 1.0mm的薄壁件 ,分析了原模结构、原模表面处理、脱模方法等关键技术问题。     

水再压缩等离子弧加工陶瓷实验研究

为减小口宽度，提高切口质量，进行了水再压缩等离子弧切割陶瓷实验研究。内容涉及基本原理，实验装置及加工参数对弧柱特性，切口宽度，切口角，无渣切速的影响规律，结果表明，施加水再压缩对提高等离子弧柱的能量密度和稳定性，进而提高陶瓷件切割质量非常有效。     

C基薄膜电子场发射的一般特性及发射模型

介绍了几种碳基材料的场发射特性及其发射模型.金刚石表面具有较低的或负的电子亲和势,因无法实现N型掺杂,难以用作电子发射材料.类金刚石膜及非晶碳膜材料经过"激活"后在表面形成具有较大场增强因子的熔坑,在几～几十V/μm的低阈值电场下得到非本征的电子发射,纳米结构的碳和碳纳米管本身具有较大的场增强因子,是较有前途的平面阴极场发射材料.碳基材料的导电性不同,遵循的发射模型不同.     

离子注入Cr、Mo、Al对碳钢缝隙腐蚀行为的影响

采用电化学测试技术研究了离子注入Cr、Mo、Al对碳钢在海水中缝隙腐蚀行为的影响。结果表明,Cr、Mo复合离子注入表面降低缝隙腐蚀率,提高ER,显著改善了耐缝隙腐蚀性能,该效果优于Cr离子单独注入表面。Al离子注入表面使ER变负,耐缝隙腐蚀性能变劣。     

离子注入Cr、Y、Nb对γ-TiAl金属间化合物高温氧化性能的影响

采用MEVVA离子源将Cr、Y、Nb离子分别注入γ -TiAl金属间化合物 ,注入能量 50—6 0keV ,注入剂量为 1× 10 17cm- 2 ,研究γ -TiAl在 10 0 0℃空气中的循环氧化行为。结果表明 ,Cr离子和Y离子注入对γ -TiAl的高温氧化性能均没有明显影响 ;Nb离子注入γ -TiAl,在氧化初期 ,抗氧化性能得到显著提高 ,但随着氧化过程的继续 (超过 10 0h) ,这种改善作用逐渐降低。实验发现 ,通过离子注入和基体合金化向γ -TiAl中加入相同元素 ,由于工艺过程的差异 ,对其高温氧化性能的影响不同。在长时间高温氧化 (10 0 0℃ )条件下 ,离子注入表面改性无法达到提高γ -TiAl抗氧化性能的目的     

基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响

在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。