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不同铅气氛对PZMN陶瓷压电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
摘要:采用二次合成法制备了XPMN-(0.2-x)PZN-0.8PZT(x=0.05~0.20)四元系压电陶瓷(PZMN),系统研究了铅气氛和非铅气氛条件对陶瓷显微组织,介电性能及压电性能的影响规律并探讨了铅气氛作用机制。实验表明在富铅气氛的作用下,PZMN体系具有较优的性能,尤其是x=0.10时,能获得综合优良的压电性能,相对介电常数ε^T33/εo=1000,介电损耗tanδ-0.0050,机电耦合系数Kp=0.52,品质因数Qm=2528,Tc=325℃,可以满足压电变压器等大功率器件应用方面的要求。 相似文献
23.
衬底温度对ZnO薄膜氧缺陷的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
采用射频磁控溅射在石英玻璃和单晶硅Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,研究了衬底温度对ZnO薄膜中氧缺陷的影响。实验发现,ZnO薄膜c轴取向性随温度的升高而增强;当衬底温度达到550。C时,XRD谱上仅出现一个强的(002)衍射峰和一个弱的(004)衍射峰,显示ZnO具有优异c轴取向性。同时,随着温度的升高,ZnO薄膜的紫外透射截止边带向高波长方向漂移,其电导率也随衬底温度的升高逐渐增大,表明薄膜中的氧缺陷逐渐增多。这种氧缺陷是由于ZnO的氧平衡分压高于Zn所致,可通过提高溅射气体中氧含量来改善。 相似文献
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采用传统的固相烧结法制备了Bi0.9Ho0.1Fe1-xMnxO3(x=0.05,0.10,0.15)陶瓷体系。XRD结果表明,Bi0.9Ho0.1Fe1-xMnxO3陶瓷存在杂相Bi2Fe4O9,随着Mn4+的掺入量的增加,(104)和(110)峰逐渐合并,(006)峰逐渐消失,证明其结构由菱方钙钛矿结构向四方结构发生转变;SEM分析可知,Bi0.9Ho0.1Fe1-x MnxO3陶瓷体系的晶粒随着Mn4+掺入量的增加逐渐变大;铁电性能测试表明,Bi0.9Ho0.1Fe1-xMnxO3(x=0.05,0.10,0.15)陶瓷在室温下具有铁电性,但电滞回线不饱和,说明其存在漏导;剩余极化值随着Mn4+掺入量的增加,先增大后急剧减小;磁性测试表明Bi0.9Ho0.1Fe1-xMnxO3(x=0.05,0.10,0.15)陶瓷表现出了铁磁性,其磁性随着Mn4+掺入量的增加而增强。除此之外,Bi0.9Ho0.1Fe1-xMnxO3(x=0.05,0.10,0.15)陶瓷具有一种特殊的磁滞回线,表明其随着磁场的增大发生了磁诱导相变。 相似文献
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分别选取纯金红石结构和金红石与锐钛矿混合结构的TiO2为钛源,通过传统固相法制备FeTiTaO6陶瓷。利用X射线衍射、扫描电子显微镜等手段对比表征了2种钛源条件下合成FeTiTaO6的相结构和微观形貌,并测试了二者的介温谱。结果显示,以纯金红石TiO2为原料合成的FeTiTaO6陶瓷有明显的介电弛豫特性,而以含有锐钛矿的TiO2为原料合成的FeTiTaO6陶瓷没有介电峰出现。原因是由于在煅烧阶段不同晶型TiO2之间发生结构转变,使制得的陶瓷粉体反应活性不同,进而影响陶瓷烧结的热力学进程,并导致陶瓷的介电性能出现差异。 相似文献
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通过改变氧分压,利用脉冲激光沉积方法在Si(100)衬底上制备了系列LaNiO3导电氧化物薄膜;经XRD测试研究发现,通过调控氧压,可获得具有高(100)取向薄膜,且氧压对薄膜结晶性有很大影响,在氧分压为7.5Pa时获得结晶性最好的薄膜。经XRF分析表明,La、Ni元素化学成分计量比随氧压增大而减小。经四探针法测试,薄膜电阻率最小为2.03×10-4Ω.cm,表现出了良好的金属导电性。经SEM和AFM分析表明,薄膜晶粒为柱状晶,排列均匀致密,薄膜表面均匀,粗糙度较小,表明LaNiO3薄膜可以用作一种良好的铁电薄膜底电极材料。 相似文献
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30.
提出用摄动制导原理延时控制爆高的新方案。在末修结束时,由弹上机计算延时修正量,通过延时控制爆高,数值计算表明,该方案可以大大减小主动段各种干扰带来的误差 相似文献