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无机纳米杂化聚酰亚胺(PI)薄膜具有优良的耐电晕特性,通过观察击穿孔区形貌研究薄膜击穿机理及纳米颗粒的作用,利用SEM观察阶梯式升压强电场击穿无机纳米杂化PI薄膜孔区形貌,能谱仪测试孔区附近元素分布.研究表明:杂化薄膜严重破坏区域仅局限在孔洞附近10~50 μm范围内,随半径增加,其表面由颗粒大小不均匀、表面粗糙不平,逐渐过渡到颗粒均匀的微观结构状态;Cu含量逐渐减少,Au含量逐渐增加,正常区域电极表面没有损伤;氧化铝纳米颗粒在杂化薄膜中起到阻止电极破坏的作用,薄膜击穿机理属热击穿类型. 相似文献
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杂化聚酰亚胺薄膜耐电晕性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用均苯四甲酸二酐和4,4'-二氨基二苯醚合成聚酰亚胺(PI)树脂,以甲基三乙氧基硅烷为无机前驱体原位产生二氧化硅(SiO2)粒子,并以3-氨丙基三乙氧基硅烷为偶联剂制备了PI/SiO2杂化薄膜。分析和讨论了无机成分的含量和两相间界面形态的变化对PI/SiO2薄膜耐电晕性能的影响结果表明,无机组分的引入对杂化PI/SiO2薄膜的耐电晕性能产生很大的影响,薄膜的耐电晕性能随SiO含量的增加而提高;偶联刑的引入对无机粒子的分散、两相相容性,以及界面形态具有明显的改善作用,对薄膜耐电晕性能的改善更为明显:并提出了一个耐电晕模型。 相似文献
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深部岩体开挖过程中,能量的释放与耗散是导致围岩发生损伤破坏的重要诱因。针对深埋圆形隧洞爆破开挖,采用理论模型研究微差段间爆破荷载与地应力瞬态卸荷重复扰动及耦合作用下围岩应变能的变化规律,并基于弹性应变能判别准则计算围岩损伤范围。研究结果表明:在爆破荷载作用下,围岩应变能经历了先增大再减小最终趋于稳定的动态变化过程;在地应力的瞬态卸荷作用下,围岩应变能经历了先减小再增大最终趋于稳定的过程;二者耦合作用会进一步加剧围岩应变能动态调整过程,并且体现出更加明显的微差段间重复扰动效应,以开挖轮廓附近起爆的两圈崩落孔及周边孔最为明显。爆破荷载主要引起围岩张拉破坏,而地应力瞬态卸荷主要导致围岩压剪破坏,在二者耦合作用下地应力的存在会抑制爆破荷载引起的围岩张拉破坏,从而减小围岩的损伤范围。最后,采用锦屏二级水电站引水隧洞实测围岩损伤范围对理论计算方法的正确性进行了验证。 相似文献
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