基于Verilog的一种高效验证平台的研究及应用

文章讨论了基于Verilog验证平台的功能、组成、关键设计技术及优化几个方面的问题．并在此基础上用Verilog HDL建立了高效的白检查验证平台，实现了被测模型的输出与期望输出的自动比较。     

一种新型地址变化探测技术在SRAM中的应用

本文提出了一种采用两级电路实现的地址变化探测器。与传统地址变化探测电路相比较,该设计显著提高了SRAM的抗噪声、抗干扰能力。     

SOI SRAM测试研究

SOI（绝缘体上硅）静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型.基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设计和测试考虑,并提出了相应的测试码.     

基于改进的混合压缩结构的Wallace树设计

文章针对典型的32位浮点乘法器,对Booth算法产生的部分积重新分组,采用CSA和4-2压缩器的混合电路结构,对传统的Wallace树型乘法器进行改进,并提出一种高速的树型乘法器阵列结构。该结构与传统的Wallace树型相比,具有更小的延时、更规整的布局布线,使其更易于VLSI实现。     

3-D寄生电容的HOC-ADI提取方法

采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算3-D寄生电容.数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间.     

一种利用夹层Ta难熔金属提高NiSi薄膜热稳定性的新方法

本文首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,首次摸索出在Ni中掺入夹层金属Ta来提高NiSi硅化物的热稳定性.Ni/Ta/Ni/Si样品经600 ～ 800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,约2Ω□.XRD衍射分析结果表明,在600～800℃快速热退火温度下形成的Ni(Ta)S薄膜中...     

数字交换芯片MT90826及其应用

MT90826芯片是MITEL公司生产的大容量数字交换器件，单片可实现4096×4096通道的无阻塞交换，可编程建立在每一个通道基础上、附带不同通过延时的时隙交换，利用该器件的组合可构成更大容量的交换网络或交叉连接矩阵。该器件可有效解决传统交换机采用多个存储器及控制集成电路所构成的交换网络系统存在的生产成本高、调试困难、稳定性差等问题。文章介绍了MT90826芯片的内部结构、原理及时序关系，并给出了控制软件设计，其编程思路可拓展到MITEL公司同系列的其他数字交换芯片。     

基于March C-算法的SRAM BIST电路的设计

针对某SOC中嵌入的8K SRAM模块,讨论了基于March C-算法的BIST电路的设计.根据SRAM的故障模型和测试算法的故障覆盖率,研究了测试算法的选择、数据背景的产生,并完成了基于March C-算法的BIST电路的设计.实验证明,该算法的BIST实现能大幅提高故障覆盖率.     

一种延迟可控的异步FIFO电路设计

基于传统异步FIFO延迟电路设计了 一种延迟可控的异步FIFO电路.该电路在实现数据跨时钟域传输的同时增加了延迟控制模块,通过调节读指针与写指针的差值实现整数延迟的控制,通过调节读时钟与写时钟的相位差实现高精度的小数延迟控制.建立VCS验证平台,进行功能验证.结果表明,该FIFO电路实现了数据跨时钟域传输和延迟动态控制...     

纵向NPN管ESD保护结构的设计与分析

针对一种5V0.6μm BiCMOS工艺的纵向NPN管,设计了ESD保护结构。为了克服传统纵向NPN管ESD自触发结构触发电压较高的缺陷,提出一种带P+/N阱二极管的改进型自触发ESD结构,利用NPN管集电极与基极之间的寄生电容和二极管作为电容耦合元件。流片及测试结果表明,该保护结构的触发电压得到有效降低,且抗ESD能力超过4kV的人体模型。