FCC装置主风分布管喷嘴磨损的气相流场分析

用FLUENT流体计算软件对FCC装置再生器树枝状分布管喷嘴流场进行了计算,分析了喷嘴发生磨损的机理.对喷嘴流场的计算表明喷嘴磨损是催化剂颗粒造成的,属于气固两相流冲蚀磨损.由于某些喷嘴的压力降偏低和流场存在偏流,造成催化剂颗粒倒流至喷嘴内部或分布支管内部.催化剂颗粒流经喷嘴时,斜向冲击内壁产生冲蚀磨损.磨损首先发生在喷嘴内壁局部区域,形成圆弧状磨损痕迹,再将喷嘴磨穿,逐渐扩大为整个喷嘴,磨掉喷嘴.这些分析结果可为主风分布管的设计提供帮助.     

打造核心能力创建百年油田

“十五”期间，大庆油田科技系统针对油田开发进入高含水后期，储采比例失衡、后备资源不足、开发难度增大的严峻形势，围绕“创建百年油田，搞好二次创业”目标，树立“资源有限、科技无限”理念，坚持以技术闯市场、以技术换资源、以技术谋发展，集油田上下之力，倾全体员工之智，加快核心主导技术攻关，着力破解重大技术难题，取得了一系列重大进展，充分发挥了第一生产力作用。     

变表皮系数在气井试井解释中的应用

在气井试井解释中,使用固定的表皮系数来进行压力全历史拟合,很难将压力历史曲线拟合好,而且不尽合理。气体的高速流动,导致气井附加的压力降。流量越大,表皮系数越大。基于叠加原理,以及变表皮系数的理论,通过实例分析,对气井不稳定试井进行压力全历史拟合,获得了很好的拟合效果。通过拟合获得的各流动段表皮系数,由线性回归得到真表皮系数。     

等离子体刻蚀工艺控制模型分析

讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离子体刻蚀工艺中的应用.结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性.     

0.25μm GaAs基MHEMT器件

采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达490mA/mm,截止频率为75GHz,比同样工艺条件下GaAs基InGaP/InGaAs PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.     

PLC变行程控制的程序编制

本文探讨了采用PLC软件的方法实现变行程控制的行程调整问题.     

一种变步长D-Rake多用户检测器

在时变多径衰落信道下,接收到的CDMA信号功率变化较大,此时D-Rake盲自适应多用户检测器性能显著下降,将变步长LMS算法与基于主分量的相干合并引入到D-Rake(DecorrelatingRake)检测器中,构成一种变步长D-Rake,称之为VD-Rake(Variablestep-sizeDecorrelatingRake)检测器。该检测器能克服原D-Rake检测器对信号功率变化较敏感等缺点,有效地改善了D-Rake检测器的性能。     

雷达电子战自适应捷变频对抗技术研究

介绍了雷达自适应变频抗干扰技术,分析了与之相对应的干扰技术,并对雷达自适应变频对抗效果度量问题进行了研究。     

面向对象的桌面应用框架层次模型

当前有一类加入了互联网络特色的桌面应用，如即时通和游戏等，正不断取得市场上的成功。针对这种桌面应用，从高层视角给出了一种面向对象的应用框架层次模型，以帮助这类应用的快速开发．模型分三层：管理层、主框层、大粒度GUI构件层。描述了各层的主要成分和责任，以及各层之间的关系，并在最后给出了一个实例。     

CMOS光接收机主放大器设计

利用CMOS工艺设计一种用于SDH STM 4速率级(622 Mb/s)光纤用户网的光接收机放大电路。此电路由输入/输出缓冲、主放大单元、偏置补偿电路4部分组成。通过直接耦合技术提高增益,降低功耗;利用有源电感负载提高系统带宽。采用商用SmartSpice电路仿真软件和CSMC HJ 0.6μm工艺参数对该电路进行仿真。结果表明,该电路在5 V工作电压下中频增益为81 dB,3 dB带宽为470 MHz。