激光切割工艺参数优化数据库系统

用Visual Basic 6.0和用SQL server 7.0设计了激光切割工艺参数数据查询系统.能实现对常用材料的激光切割工艺参数进行查询.同时,提供了方便的数据库维护方法,提出用户基于Web技术的数据库更新方法.     

气焊及切割工艺与设备

基于DSP的数字化控制逆变式空气等离子切割电源研究;逆变式等离子切割电源主电路的设计与仿真;切割用等离子弧的数值分析;高速走丝电火花线切割机床多次切割的实现     

源气体流量比对F-DLC薄膜结构的影响

以高纯石墨作靶，CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜。拉曼光谱表明，CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I（D）/I（G）减小，晶粒增大，芳香环结构出例下降。红外吸收光谱分析证实了这些推论，指出这是由于薄膜中氟含量上升的结果。     

新型楔形绳环研制成功

山东煤矿泰安机械厂与国外公司联合开发 ,为兖州矿业 (集团 )公司济宁二号煤矿特大型箕斗制造的1 85ｔ、2 0 0ｔ楔形绳环及为淄博矿务局葛亭煤矿设计的 1 1 0ｔ系列产品 ,在生产工艺及使用上与我国现有楔形绳环相比均有突出优越性 ,投运后一直使用良好 ,安全可靠。目前我国矿井常用楔形绳环的侧板多选用中碳钢 ,容易形成裂纹 ,为现场使用留下隐患。新型楔形绳环侧板采用优质低碳合金钢 ,焊接及切割性能良好 ,下料后不需对切割边进行机械加工即可转入下道工序 ,既保证使用可靠性 ,又减少加工环节。由于采用了钢套和高强螺栓定位及受力的设计 …     

单壁碳纳米管的制备及生长特性研究

采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响     

Study on Dihydrated Praseodymium Acetylacetonate by Photoacoustic Spectra with Broad Wavelength Range

Photoacousticspectroscopy (PAS)hasbeenusedtonondestructivelyinvestigatealmostallkindsofsam ples,whetherthesampleiscrystalline ,powderorgel .PAspectr oscopyisacalorimetrictechniquewhichmeasurestheenergyabsorbedandsubsequentheatingofthesamplesduetoanonradiativerelaxationpro cess .ThereforePAScanbeusedtostudyopaque ,highlyreflectiveandscatteringsamples ,whicharedif ficulttostudybyconventionalspectroscopytech niques[1] .Withouttheneedofsamplepreparation ,PASavoidstheriskofsamplealteration ,pre…     

利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征

采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜 .XRD测试和UV - Vis吸收谱测试证明在高于 880℃的温度下热处理 ,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜 .光致发光光谱分析表明 ,未掺杂的薄膜在紫外波段有较弱的发射 ,而掺锰的硅酸锌薄膜在可见光波段有很强的光致发射 .由于硅酸锌薄膜在高温下非常稳定 ,可以与硅集成电路工艺兼容 ,而且发光强度高 ,因此在制作硅基光电集成器件方面有非常大的应用前景     

固体中光声拉曼效应的理论分析

从非线性波动方程出发，运用准平衡模型以及热弹理论，对固体样品中光声拉曼效应进行理论分析，导出了脉冲激光泵浦下光声拉曼信号的解析表达式，并总结分析了固体中光声拉曼效应的一些原理特性、实验问题和应用价值。     

PbZr0.52Ti0.48O3薄膜红外椭圆偏振光谱研究

用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5～ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 .