采用反相方法测试台架测定3．3kV IGCT的特性

采用反相方法测试台架在实际工作条件下，对ABB公司提供的实验性3．3kV IGCT进行了特性测定.这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小，开关损耗也降低了.这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世，它们可以用于较高开天频率(超过1kHz)和大电流工况，以改善大功率变换器的性能.     

退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响

采用铟锡合金靶(铟-锡，90-10)，通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜，并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明，随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高。     

V波段小型化低相噪频率综合器

本文研究了一种V波段超小型低相噪频率综合器,研制了L段捷变频频综、Ku波段取样锁相源、上变频组件、倍频器等四个小型化组件.为了得到较低的相位噪声和捷变频速度,本捷变频频综采用上变频-倍频方案,其中DRO PLS保证低相位噪声性能,L波段捷变频频综保证捷变频功能.该频综尺寸为100×80×30mm³,相位噪声低于-86dBc/Hz(1kHz),捷变频时间小于40μs,杂波抑制优于-60dBc.     

减小多载波信号PAPR的一种简单方法

文章针对等幅且各子载波等频率间隔的多载波信号,从瞬时包络功率出发,采用代数方法推导了一种降低峰 值平均功率比(PAPR)的新的相位方案。此外,还通过数值计算对峰值包络功率的减小作用进行了验证。数值结果表明采用 这种新的相位方案得到的PAPR不大于3.01dB(子载波数在300以内),且随着子载波数的增大而接近2.65dB。     

工艺参数对纳米颗粒Cu/SiO_2复合薄膜结构和光谱特性的影响

用离子束溅射法制备了具有反常光吸收特性的纳米颗粒CU／SiO2复合薄膜。获得了在离子来参数一定时，基片温度、膜料的沉积时间和镀膜后的保温时间等工艺参数对这种薄膜结构和光学特性的影响规律，并对纳米颗粒Cu／SiO2复合薄膜的反常光吸收特性作了计算和解释。     

具有阻力特性材料的σ_f－σ关系及一种新的阻力曲线测定方法

通过对相变增韧陶瓷及一种可切削玻璃－陶瓷动态疲劳（恒应力速率）试验中高应力速率区断裂应力下降现象的理论分析，发现这种现象与材料的阻力特性（Ｒ－ｃｕｒｖｅ）密切相关。确立的σ_ｆ－σ理论关系能够很好地描述整个应力速率区间内的动态疲劳试验结果。高应力速率区σ_ｆ－σ在双对数坐标下为负斜率直线，直线斜率为（ｍ为阻力曲线ＫＲ＝ｋ（△ａ）~ｍ的指数），断裂主要由材料阻力行为控制；低应力速率区，σ_ｆ－σ在双对数坐标下为正斜率直线，直线斜率为　（ｎ为应力腐蚀指数），断裂主要由材料应力腐蚀行为控制。建立了测定材料阻力特性的一种新方法，分别用这种方法及压痕／弯曲方法对一种可切削玻璃－陶瓷的阻力特性进行了实验测定，两种方法所得结果有很好的一致性。     

关于低压电器设备中常用的电磁理论问题的探讨

本文介绍了电磁理论在低压电器设备中应用的几个问题，通过对几个问题的分析，有助于低压电器设备的设计，制造，使用和维护。     

光纤和双绞线的特性及选用

拓扑选择和网络布线是网络设计和实现中的一个重要方面,好的拓扑结构和布线系统不仅具备高可靠性,还有很好的可管理性和可维护性。本文谈谈光纤与双绞线电缆的主要特性、测试方法和选用原则,希望对网络管理人员有所帮助。     

烧结工艺对液相合成（SrPb）TiO3基陶瓷热敏特性影响的研究

本文在液相合成（ＳｒＰｂ）ＴｉＯ３粉的基础上，研究了升温速率、保温时间、烧结温度及降温方式对（ＳｒＰｂ）ＴｉＯ３基陶瓷的Ｖ型ＰＴＣ热敏特性的影响。实验表明：升温速率对其热敏特性影响不大，保温时间和烧结温度的作用是一致的，具有一最佳范围。而降浊方式对材料的热敏特性影响较大。综合各因素的影响，本配方中，样品的烧结制度定为：以２００℃／ｈ的速率升温，在１２５０℃保温１ｈ，炉冷至９５０℃，保温０．５ｈ，再