陶瓷材料冲击性能研究进展

陶瓷材料由于其多种优良特性得到了越来越广泛的应用。有关陶瓷材料的冲击力学性能研究是最近几十年才开始的。本文从陶瓷材料的应变率效应、冲击下的高压行为、冲击损伤、层裂现象和失效波响应，以及相关的理论研究和数值分析等方面，介绍了国内外对陶瓷材料冲击性能研究的现状，并对进一步的工作提出了建议和展望。     

超长地下室外墙裂缝的控制

根据裂缝的生成机理与大量的工程实践,提出了“不求甚解、但求全解、穷尽可能、全面防治”的裂缝控制原则,并制订了系统的实施方案,在超长地下室外墙施工中取得了显著效果。     

时空效应规律在软土深基坑工程中的运用

阐述了时空效应规律在软土深基坑工程中的运用情况，实践证明，运用时空效应规律，能可靠而合理地利用土体自身在基坑开挖过程中控制土体位移的潜力而达到保护环境的目的。     

Effect of Pressure on Intermediate Valence States in Cerium Kondo Compounds

Electrical resistance, thermal expansion, lattice constants of the intermediate valence materials, α-Ce and CeBe13, were measured at high pressure. It is found that the Grttneisen parameters of Kondo temperature TK are 13 and 42 for α-Ce and CeBe13, respectively, and it decreases with increasing pressure. The magnetoresistance of α-Ce shows H^2 dependence and its coefficient increases with pressure below 1 GPa, but becomes nearly constant above 1 GPa. The results indicate that the intermediate valence states are enhanced at high pressure indicating the enhancement of hybridization between the 4f electron and conduction band.     

液晶电控效应的实验研究

详细阐述了液晶的电光效应,介绍了利用分光光度计测量液晶透射比的方法。通过改变加在液晶盒上的电压大小及其频率高低,详细测量了液晶的透射比。通过做图分析了液晶的电控双折射效应,得出液晶的透射比随所加电压的大小和频率的高低而变化,以及液晶的阈值电压随频率的增高而减小的规律,这对液晶器件的设计与研究均具有一定的参考价值。     

压电陶瓷微位移器件迟滞模型的研究

在通过统计物理学角度分析压电陶瓷迟滞规律的基础上，结合数学建模方法，提出了一种简单实用的压电陶瓷迟滞数学模型。并设计了压电陶瓷实验控制系统，对迟滞数学模型进行了验证，实验结果表明，此模型可以有效减小压电陶瓷的迟滞非线性误差，提高压电陶瓷微位移的控制精度，本研究有助于实现基于压电陶瓷的高精度开环微位移控制。     

源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高,并且随着源区深度的减小,抗总剂量辐照的能力不断加强.体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关.     

固体中光声拉曼效应的理论分析

从非线性波动方程出发，运用准平衡模型以及热弹理论，对固体样品中光声拉曼效应进行理论分析，导出了脉冲激光泵浦下光声拉曼信号的解析表达式，并总结分析了固体中光声拉曼效应的一些原理特性、实验问题和应用价值。     

网络制胜

对于一个企业来说，有效地利用网络是十分重要的。网络有一种“乘数效应”，它可以帮助企业克服自身的不足和弱点，赢得必要的优势。