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1.
研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高,并且随着源区深度的减小,抗总剂量辐照的能力不断加强.体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关.  相似文献   
2.
源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟   总被引:6,自引:3,他引:3  
研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的减小 ,抗总剂量辐照的能力不断加强 .体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件 ,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关  相似文献   
3.
ERP(企业资源计划)是美国加特纳公司在 MRP(物料需求计划)、MRPⅡ(制造资源计划)基础上,于1991年提出一种综合运用先进管理技术和信息技术的管理模式概念,近年引入到我国企业。由于“ERP 项目是一个庞大的系统工程,不是有钱买来软件就可以的。ERP 更多的是一种先进的管理思想,它涉及面广,投入大,实施周期长,难度大,存在一定的风险,需要采取科学的方法来保证项目实施的成功”,因此并非—“E”就灵。迄今为止,对于 ERP 可以说仍然是众说纷纭,褒贬不一。有文章称 ERP 系统是一个强有力的工  相似文献   
4.
人才流失是指属于特定群体、组织、地域的专门人才或其他有才能的人,离开自己原来所依附或服务的对象,而加入另外群体、组织或地域。国有企业人才流失的原因复杂,如何制定相应的人力资源战略是一项紧迫任务。本文从人事管理的经验入手,从机制、制度和文化层面论述了如何创建有利于人才发展的“软环境”,建立符合市场竞争需要的现代人力资源管理新机制,以防御企业人才流失。  相似文献   
5.
赵洪辰 《化工之友》2001,(12):33-35
我国房地产业属于第三产业,但随着国民经济的不断发展和住房制度改革的深入,对拉动内需,促进建筑、建材、金融等数十种相关行业的发展,起到了巨大的作用。1999年全国房地产开发企业约有2.7万个,从业人员100多万人,完成开发投资额4012.2亿元,比去年同期增长11%;商品房施工面积增长13.3%;商品住宅销售面积增长24.9%;商房销售增长23.9%。但目前我国的房地产业还处于起步成长阶段,技术管理比较落后,虽然企业数量多,从业人员多,但主水平、高素质的企业还比少,而且多数企业的尚未真正建立现代企业制度,管理体制存在弊端,竞争力较弱。特别是房地产中介服务企业和物业管理企业与国外比差距更大。因此,加入WTO我国房地产在国内市场上既有明显的优势,也有不足或劣势,如何扬长避短是摆在我们前的重大课题。  相似文献   
6.
在埋氧化层厚度不同的SIMOX衬底上制备了H型栅结构器件。经过总剂量辐照后,器件的正栅亚阈值特性无明显变化,背栅亚阈值特性发生平移,但均未发生漏电,说明其抗辐照性能超过1E6rad(Si)。辐照后器件的寄生双极晶体管增益有所增大,并且与背栅阈值电压的变化趋势相似,可能是由于埋氧化层中的正电荷积累使体区电位升高,提高了发射极的发射效率。  相似文献   
7.
赵洪辰  于广华  司红 《功能材料》2003,34(5):513-514,517
在不同本底真空和工作气压下制备了Ta/Ni81Fe19薄膜,并进行了磁性测量和原子力显微镜分析。结果表明较高的本底真空和较低的工作气压下制备的薄膜有较大的各向异性磁电阻值△R/R。其原因是高本底真空和低工作气压导致大晶粒尺寸和低粗糙度。进而降低电子的散射.减小电阻R,增大各向异性磁电阻△R/R。在不同真空度下剞备了(Ni81Fel9)64Cr36/Ni81Fe19薄膜,与以Ta为衬底的薄膜相比,具有更大的各向异性磁电阻值,达到了3.2%,这是国内目前报道的最大值,但它受真空度的影响更大。  相似文献   
8.
赵洪辰  海潮和  韩郑生  钱鹤 《半导体学报》2004,25(10):1345-1348
在SIMOX和Smart- cut SOI衬底上采用L OCOS和MESA隔离技术制备了部分耗尽PMOSFET,虽然L O-COS隔离器件的阈值电压较小,但其跨导和空穴迁移率明显小于MESA隔离器件.模拟表明,L OCOS场氧生长过程中,由于Si O2 体积膨胀,在硅膜中形成较大的压应力,从而降低了空穴的迁移率.  相似文献   
9.
在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PD SOI nMOSFETs,并研究了浮体效应对辐照性能的影响.在106rad(Si)总剂量辐照下,所有器件的亚阈特性未见明显变化.环形栅器件的背栅阈值电压漂移比H型栅器件小33%,其原因是碰撞电离使环形栅器件的体区电位升高,在埋氧化层中形成的电场减小了辐照产生的损伤.浮体效应有利于改进器件的背栅抗辐照能力.  相似文献   
10.
制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构,它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜.利用这种结构制备的SOI器件在经受3×10~5rad(Si)的辐照后亚阈值特性未发生明显变化,漏电流也无增加,说明其抗辐照性能优于传统的LOCOS隔离结构.  相似文献   
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