基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

抽油机减速箱缺油保护系统的研制

抽油机减速箱损坏的主要原因之一是减速箱润滑油不足。目前,没有对抽油机减速箱内的油量进行实时监测,减速箱缺油后,抽油机不能立即停机,使减速箱在缺油状态下长期运转,造成齿轮、轴承损坏,甚至报废。为解决这一问题,研制了一种实时报警装置,当油量少于设定的最小值时,可以在现场发出报警信号,并对抽油机采取强制停机措施,起到保护减速箱的作用。     

铁路罐车密闭装车计量系统的运行分析

从中国石化股份公司济南分公司新上铁路罐车密闭装车计量系统的背景出发，阐述该系统的设计思想和组成；通过分析实际运行过程中仪表比对数据，讨论影响仪表贸易交接准确性的各种因素，提出相应的解决方法；最后通过铁路罐车密闭装车计量系统投用效果。证实该系统可产生明显的经济效益。     

Windows2000环境下实时控制系统的软件实现

文章介绍了在windows2000环境下通过编写WDM（Windows Driver Model）设备驱动程序实现实时数据采集和控制的一种方法。采用研华数据采集卡PCL818L产生中断信号．通过编写WDM驱动程序实现了在windows2000环境下转台的位置控制。并在实验中调试通过。实验结果表明：在采样频率为1KHz的情况下。控制系统很好实现了输出对输入的跟踪，证明了采用方法的正确性。该方法解决了windows2000环境下的实时性问题，为在windows环境下实时控制系统的实现提供了有益的尝试。     

基于高频高压交流母线多组输出直流电源的研制

本电源是基于高频高压交流母线具有多组输出的直流电源，它具有高达200kHz的开关频率，后级的整流电路由于高频交流母线的存在，使得变压器和电感的设计变得简单，滤波电容的选择也更容易。本电源由PFC电路提供400V的高压直流输入，再由MOSFET组成全桥逆变电路，在固定额率的PWM发生电路和IR2110 MOSFET驱动电路作用下，只加—个谐振电感就可实现开关管的零电压开通，可在大大降低开关损耗和噪声的同时实现直流交流的变换。整流部分采用倍流整流电路以提高原边电压的利用率，可输出低压大电流。由于采用肖特基管，—方面可使得二板管的损耗可以接受，另外—方面还避免了采用同步整流电路所面临的电路结构复杂和驱动困难。     

深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。     

新型潜油电泵防砂防垢吸入口的研究应用

针对中原油田矿化度高、出砂量大的开采现状,设计了潜油电泵防砂防垢吸入口,作为电动潜油泵提液系统的辅助设备,对井液先通过滤网防砂管工艺装置进行砂粒过滤,同时通过高强磁防垢器进行磁化处理,使矿化物分子结构改变,结垢缓解。解决了多砂和矿物质结垢而造成的泵卡及泵结垢等技术难题,现场应用效果良好。     

一种新颖的MEMS光开关测量平台的设计与实现

随着光电器件的广泛应用，微机械光开关成为核心光交换器件的主流。在研发过程中，其器件检测手段成为人们所关注的话题。本文介绍了一种新颖的测量平台，通过高幅值利用单片机控制脉冲频率的方法来选择器件。与当前同类方法相比，具有精度高、可靠性强、成本低、易操作等特点，具有广阔的使用前景。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

主要介绍了纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。