出现电势谱元素灵敏度的比较测定

对一些元素的出现电势谱（ＡＰＳ）进行了比较测定，给出了８种元素的ＡＰＳ相对灵敏度因子，那些具有罗高空态密度的元素，如镧系元素、铜系元素和３ｄ过渡金属中的大部分，其ＡＰＳ灵敏度较大。     

用核磁共振谱对家蚕丝素水合作用的研究

我们进行了用~(13)CNMR谱确定家蚕丝素非晶区结构特征和水合作用对丝素结构影响的一些研究。首先,用~(13)C溶液NMR谱对丝素经糜蛋白酶水解后可溶部分(非晶区)进行了结构分析。在非晶区中,即Cs部分,根据谱(峰)的pH滴定结果,C端氨基酸剩基确定为乙-酪,同样,N端确定为乙-丝。其次,为了确定是什么部分、什么氨基酸剩基基团与吸附的水间产生相互作用,     

In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

非晶硅基薄膜的等离子体刻蚀光发射谱检测

本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。