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21.
开关电流技术:一种新的模拟抽样数据处理方法 总被引:1,自引:0,他引:1
开关电流(SI)技术是一种新的模拟抽样数据处理技术,介绍了开关电流电路的基本单元结构,讨论了目前开关电流技术中存在的问题及其解决方法。对开关电流技术与开关电容技术的一些基本特征进行了比较,SI技术不仅结构简单,而且与标准CMOS工艺兼容,可望替代开关电容电路。 相似文献
22.
片式阻容元件的现状和发展方向 总被引:1,自引:1,他引:0
在国外的片式元器件(SMD)中,片式阻容元件发展最快,主要表现为片式化率迅速上升,尺寸越来越小,性能越来越好,包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展,指出了我国的差距,提出了我国如何发展的措施。 相似文献
23.
本征吸除硅片特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文章还实验论证了不同参数水平对器件成品率的影响,建立了以MOS电容寿命为主导的参数控制方法,利用本文提供的控制参数,可使CCD-512器件成品率达60%,以上优品率≥85%。 相似文献
24.
Zhang Xiumiao 《电子科学学刊(英文版)》1992,9(3):265-269
When a linear voltage ramp is applied to the gate of a MOS capacitor, a capacitancetime (C-t) transient is observed. The MOS capacitor is biased into strong inversion before applying the voltage ramp in order to eliminate
surface generation. FromC-t transient curve obtained experimentally the minority carrier generation lifetime in semiconductor can be determined. The
experimental results show that for the same sample the lifetimes extracted fromC-t curves under varying voltage sweep rates are close each other, and they are consistent with the lifetimes extracted by saturation
capacitance method. 相似文献
25.
对投电容器扰动识别和定位的方法进行了改进。针对其他此类方法的不足,比如在电压幅值低时投电容器扰动的识别、定位“可信度不高”等,文中通过提取小波变换的特定层的系数,对需要识别的电容器扰动的分解信号相对增强,而其他扰动的分解信号相对减弱,然后再提取熵特征值,结果表明它可以作为识别低电压时投电容器扰动的依据。在对电容器扰动进行定位时,参考了功率和能量定位法,并对其进行了改进。仿真分析证明,在电压幅值较低时,可以准确和可靠地对电容器扰动进行识别和定位。 相似文献
26.
脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜电容特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用PLD方法成功地制备了SBT铁电薄膜,并制作成Pt/SBT/Pt薄膜电容器。SBT薄膜的晶面取向以(008)和(115)为主。在5V电压下,极化反转,并且得到较饱和的电滞回线,剩余极化强度和矫顽电场分别为84μC/cm2和57kv/cm。IV特性测试显示两个对称的双稳峰,并得到零电压下,面积为314×104μm2,厚度为035μm的电容器,电容约为560pF,介电常数约为600。疲劳测试表明Pt/SBT/Pt具有优良的抗疲劳特性。 相似文献
27.
28.
29.
BST薄膜电容器的制备及其调谐性能研究 总被引:2,自引:2,他引:0
利用氩离子束溅射技术在SiO2/Si衬底上淀积Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,该薄膜在氧气气氛中500℃退火处理30 min,然后利用集成电路平面工艺将薄膜制作成叉指结构电容器。X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明,BST薄膜具有钙钛矿结构,薄膜表面光滑,晶粒致密且分布均匀。调谐性能测试结果表明,该电容器具有较高的电容调谐率,在室温100 kHz频率下,对于2 V的直流偏压,其调谐率和损耗因子分别为62%和0.02。这说明具有此结构的BST薄膜电容器可望应用于微波集成电路。 相似文献
30.