济阳坳陷下古生界潜山油气藏特征及成藏模式

济阳坳陷下古生界潜山具有多样性、复杂性的特点，潜山差异性的形成演化、油气成藏主控因素和控藏模式不明确，严重制约了该区潜山油气勘探。在潜山分类的基础上，综合利用系统恢复、分类对比和典型解剖等方法，揭示了济阳坳陷下古生界不同类型潜山的形成演化过程和油气成藏主控因素差异性，分类建立了油气成藏模式。研究表明，济阳坳陷下古生界主要发育高位新盖侵蚀残丘潜山、中位古盖拉张断块潜山、中位新古盖拉张剪切断块潜山、中位中古盖挤压拉张断块潜山和低位古盖拉张滑脱断块潜山5种潜山类型。不同类型潜山的形成演化和油气成藏各具特色，其中，高位新盖侵蚀残丘潜山的发育受隆升、侵蚀作用控制，油气成藏主要受控于油源和盖层条件，表现为"单向供烃、砂体-不整合岩溶体联合输导、残丘控藏"的成藏模式；中位古盖拉张断块潜山的发育受掀斜、断裂作用控制，油气成藏主要受控于储集条件，表现为"单向供烃、顺向断层输导、反向断层控藏"的成藏模式；中位新古盖拉张剪切断块潜山的发育受反转、翘倾和走滑切割作用控制，油气成藏主要受控于输导条件，表现为"多源供烃、断溶体立体输导、断裂控藏"的成藏模式；中位中古盖挤压拉张断块潜山的形成受强烈挤压、拉张滑脱作用控制，油气成藏主要受控于储集条件，表现为"多源供烃、断缝体输导、断褶控藏"的成藏模式；低位古盖拉张滑脱断块潜山的形成受强烈拉张滑脱作用控制，油气成藏主要受控于输导条件，表现为"顶部供烃、断缝体输导、断裂控藏"的成藏模式。     

基于MATLAB的ZNⅡ真空电容投切开关操动机构设计

ZNⅡ型真空电容投切开关专为频繁投切电容器组的场合设计,其操动机构由凸轮传动机构和弹簧储能机构组成。根据文献研究,开关的速度输出特性能够体现其灭弧性能的好坏。笔者综合分析开关各参数的影响,利用MATLAB软件的优化工具箱对ZNⅡ型真空电容投切开关进行设计,能够得到比较理想的速度输出特性。     

广东高考有机推断题之特殊的官能团断键解析及反应过程

有机推断题是广东高考的必考题型,它是相对比较基础、简单的高考大题,也是考生必拿的送分题。从历年来的考题中可以发现出题者一定会考察书写化学方程式,而化学方程式的书写也不外乎是几种特殊官能团之间的反应,这就要求掌握特殊官能团的断键过程。     

真空断路器欠压线圈失效分析

文章简要介绍了案例中真空断路器欠压线圈故障现象及事态影响，重点分析了欠压线圈失效机理，进而找出元件失效的真正原因。     

真空开关触头结构形式对磁感应强度和电磁力的影响

笔者采用仿真计算的方法,对不同结构形式的横磁触头磁感应强度和电磁力进行了分析,得出了触头结构形式对磁感应强度和电磁力的影响规律。16匝横磁触头结构的最大磁感应强度值(49.21 m T)最小,4匝横磁触头结构的最大磁感应强度值(63.86 m T)居中,螺旋槽横磁触头结构的最大磁感应强度值(74.54 m T)最大。16匝横磁触头结构电弧模型的电磁力(0.042 1 N)最小,4匝横磁触头结构电弧模型的电磁力(0.063 6 N)居中,螺旋槽横磁触头结构电弧模型的电磁力(0.117 6 N)最大。     

空气对HAC太阳电池晶体硅/本征非晶硅界面污染情况分析

采用热丝CVD法在N型体硅上以全程真空环境镀膜与IN镀膜后破真空再镀IP的不同形式,分别生长IN-IP非晶硅膜层,用WCT-120对薄膜钝化性能进行分析,并用wxAMPS软件模拟样品电池效率。比对结果表明:全程真空环境镀膜样品的反向饱和电流密度（J0）和理论开压（iVOC）分别为5.12×10-15 A·cm-2和0.731 V,模拟效率为23.15%;IN-IP破真空镀膜样品的J0和iVOC分别为9.06×10-14 A·cm-2和0.654 V,模拟效率为20.24%。因此,热丝CVD全程真空环境相对于IN-IP破真空镀膜具有更优的膜层生长方法。     

真空加料技术及应用研究

开发一种新的烟叶加料方式——真空加料技术,通过实验确定贵烟(国酒香)产品最佳的料液浓度以及工艺方式,并对加料的均匀性及加料后烟叶的致香成分进行检测,试验表明:国酒香料液最佳浓度1.96%,最佳工艺方式为进行三次加蒸汽并分别闷车2分钟,加料后车仓内上中下层烟叶吸料均匀,致香成分增加明显,烟叶感官质量明显提升。