砂基上沉管桥基础的设计和施工

对冲积平原区砂基上农桥基础,设计和施工采用混凝土预制管沉管进行了阐述.沉管基础施工简便,节省投资,同时满足季节性冻土区抗冻、稳定等方面要求.     

结构振动试验转接器的设计及安装问题

一些产品及其相关部件在作振动试验时，由于产品的外形或特殊要求不能直接安装在振动台面上，需要通过特别设计的转接器（夹具）来进行连接，这种夹具实际上是一种附加结构，它作为台面与试件之间的中介，如设置不当将影响振动试验结果的可靠性。本文通过对某事例的分析与研究，从试验频带、允许误差、跟随条件以及安装共振频率等方面阐明与讨论了相关夹具的特性、设计原则与安装等问题。     

H.264/AVC技术进展及其务实发展策略思考

结合NGN及3G演进的固定、移动视频业务实际需求状况，论述H．264／AVC的重要技术进展及其务实发展策略。     

基于"层"模式的双机容错系统

容错技术广泛应用于各个行业来保证系统的冗余和可靠性。文章在分析比较当前的双机容错系统的性能优缺点后,提出了一种全新的基于“层”模式的双机容错系统解决方案。按照这种模式,可以从链路层到应用层构建一个通用的系统级的双机容错系统。文章对其实现的关键技术进行了阐述。     

抵御已知/选择明文攻击的混沌图像加密算法

论文在对现有一类典型图像混沌加密算法的分析基础上,提出了一种改进的图像混沌加密算法。该算法引入小波变换,可以有效地克服一些混沌加密算法不能抵御已知/选择明文攻击的缺陷。     

dU/dt引发的MOSFET误导通分析

分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。     

浅谈DC/DC变换器控制新方法

文中针对DC/DC变换器的特点,在现有控制和建模方法的基础之上,对DC/DC变换器的现代控制方法进行了归纳和总结,简要讨论了其控制原理,并比较了各种现代控制方法的优缺点,最后对DC/DC变换器控制方法的发展作了一定的展望。     

一种基于Normal基椭圆曲线密码芯片的设计

文章设计了一款椭圆曲线密码芯片。实现了GF（2^233）域上normal基椭圆曲线数字签名和认证。并支持椭圆曲线参数的用户配置。在VLSI的实现上，提出了一种新的可支持GF（2^233）域和GF（p）域并行运算的normal基椭圆曲线VLSI架构。其架构解决了以往GF（p）CA算迟后于GF（2^233）域运算的问题，从而提高了整个芯片的运算吞吐率。基于SMIC 0．18μm最坏的工艺，综合后关键路径最大时延3．8ns，面积18mm^2；考虑布局布线的影响，芯片的典型的情况下，每秒可实现8000次签名或4500次认证。     

OFDM系统中同步算法的FPGA 实现

给出了一种用于 OFDM 系统中可同时完成帧起始位置估计和载波频偏估计／补偿的同步算法及其 FPGA 实现方法。采用量化的方法对该不需要额外同步序列的估计算法进行了改进,提高了载波频偏的估计精度,并在数字域进行了频偏校正。在硬件实现上,利用 CORDIC 算法能够有效计算三角函数的特点,把频偏估计和频偏校正过程中的反正切运算和角度旋转操作转化成加法和移位操作,实现了计算精度、运算速度和硬件资源利用三方面性能的兼顾。     

0.25μm GaAs基MHEMT器件

采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达490mA/mm,截止频率为75GHz,比同样工艺条件下GaAs基InGaP/InGaAs PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.