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41.
提出采用广义似然比检验实现对差分超宽带信号的最佳检测.在信道条件未知的情况下,首先完成信道特性的最大似然估计,而后进行差分超宽带信号的统计检测,得到了基于广义似然比检验的差分超宽带信号接收机结构.结果表明,差分超宽带的广义似然比检验接收机是一种相关接收机,其本地模板信号为前一个码元脉冲接收波形的平均.在此基础上,对接收机输出噪声进行高斯近似获得了该接收机的误码性能.  相似文献   
42.
采用新型电流舵结构的增益可调UWBLNA   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款工作在3 GHz5 GHz频段的增益可调超宽带低噪声放大器(LNA)。LNA输入级采用局部反馈的共栅结构,实现了超宽带输入匹配和良好的噪声性能;放大电路级采用提出的新型电流舵结构,实现了放大器增益连续可调;输出级采用源极跟随器,获得了良好的输出匹配。利用ADS2009进行仿真验证,结果表明,在3 GHz5 GHz频段的增益可调超宽带低噪声放大器(LNA)。LNA输入级采用局部反馈的共栅结构,实现了超宽带输入匹配和良好的噪声性能;放大电路级采用提出的新型电流舵结构,实现了放大器增益连续可调;输出级采用源极跟随器,获得了良好的输出匹配。利用ADS2009进行仿真验证,结果表明,在3 GHz5 GHz工作频段内,LNA获得了25 dB的增益可调范围,最高增益达到24 dB,输入端口反射系数小于-11 dB,输出端口反射系数小于-14 dB,最小噪声系数为2.3 dB,三阶交调点(IIP3)为4 dBm,在1.2 V电压下,电路功耗仅为8.8 mW。  相似文献   
43.
介绍一种新型的超宽带带通滤波器,研究了微带阶梯阻抗谐振器的阻抗特性,利用该并联结构实现了超宽带带通滤波器的带外传输零点。设计了一款性能较好的宽带带通滤波器,实际测试结果与仿真结果十分吻合,证明了设计方法的正确性。  相似文献   
44.
从频域角度考虑了产生脉冲的方法,通过滤波器对单位冲激响应进行频谱整形,达到将脉冲控制在固定频谱范围内的目的。通过ADS和Protel对电路进行仿真设计和硬件实现。测试结果表明,该脉冲产生器输出结果达到了预期要求,实测结果与仿真结果吻合得很好。最终输出脉冲峰峰值为1.17V,拖尾抑制为-12dB,具有良好的对称性,频谱基本控制在30~40MHz之间。  相似文献   
45.
提出了一种具有陷波特性的新型超宽带Vivaldi天线。采用双Y巴伦实现了微带-槽线过渡,利用多阶阻抗变换器解决了宽带阻抗匹配问题。通过在微带线上添加狭缝,实现了对WLAN应用频段(5.125~5.825 GHz)的隔离,使该天线具有陷波特性。在仿真设计的基础上制作了实验模型,并对其进行了测量。实测结果表明:在超宽带UWB(Ultra Wide-Band)应用频带(3.1~10.6 GHz)范围内,除隔离频带(5.1~6.0 GHz)以外,该天线的驻波比VSWR≤2,辐射方向图定向性较好,且交叉极化较低,从而证明了该天线设计的实用性。  相似文献   
46.
一种小型平面超宽带天线的设计与实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种新颖的小型平面超宽带天线。该天线由矩形微带天线的基本结构演变而来,为获得超宽带频率特性,设计时辐射单元下端采用了渐变结构,金属底板使用缺陷地结构。对天线的反射系数、方向图及增益进行了仿真计算和优化设计,实测结果为:天线的工作频段为3.1~13.0 GHz(S11<-10 dB),增益大于1 dB,具有良好的超宽带特性和全向辐射特性。  相似文献   
47.
设计实现了一种中心频率为400 MHz的吸波材料填充式背腔蝶形天线,并将此天线应用于超宽带探地雷达系统,组装完成了一套400 MHz无线控制探地雷达系统样机。背腔式设计的探地雷达收发天线可以克服传统蝶形天线在H面全向辐射所带来的缺点,从而提高雷达系统的信噪比及收发天线之间的隔离度。对背腔蝶形天线的设计进行了规律性研究,总结了吸波材料填充式背腔蝶形天线系统在工程化实现时的设计经验。实际路测数据验证了所设计背腔天线在此套探地雷达系统中性能表现稳定良好。  相似文献   
48.
针对现有频率合成方法难以产生同时具备宽频带和高速频率跳变能力信号的问题,提出一种基于直接数字频率合成和直接频率合成技术的混合频率合成方案.介绍了其实现原理、设计方案以及测试结果,最终实现了带宽为1.5 GHz、跳频时间小于50 ns的高速步进频率信号源,该方案实现简单,性能优越.  相似文献   
49.
An integrated fully differential ultra-wideband CMOS RF front-end for 6-9 GHz is presented.A resistive feedback low noise amplifier and a gain controllable IQ merged folded quadrature mixer are integrated as the RF front-end. The ESD protected chip is fabricated in a TSMC 0.13μm RF CMOS process and achieves a maximum voltage gain of 23-26 dB and a minimum voltage gain of 16-19 dB,an averaged total noise figure of 3.3-4.6 dB while operating in the high gain mode and an in-band IIP3 of-12.6 dBm while in th...  相似文献   
50.
1 Introduction Recently, the high rate short range wireless personal area network (WPAN) is considered. When the inverse of the sampling rate is significantly shorter than the total delay spread, as is the case for most UWB communication systems, OFDM systems are more attractive than a single-carrier system. The multi-band OFDM physical layer proposal has been adopt by IEEE 802.15.3a Task Group[1]。 Combing STC and OFDM have the properties to achieve high data rate and mitigate int…  相似文献   
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