HgCdTe光导探测器的失效分析

利用剥层分析技术对已知失效的ＨｇＣｄＴｅ光导探测器进行逆向分析，研究了器件制造过程中主要工艺引入的缺陷以及形貌，寻找器件失效原因，并分析了工艺损伤与器件电性能的关系。     

国内外开发试验仪器的发展状况

介绍国外开发试验仪器向自动化，计算机化方向发展，基俱有高温，高压，模拟地层条件；多功能，模块化；应用高科技；使用高性能泵及无汞ＰＴＶ仪是当今国内外岩心分析，地层流体分析仪器装备制造的特点，以及当前我国开发试验仪器虽有长足的发展，但还有差距，建议采取措施，加速发展。     

劳厄形貌术在碲镉汞器件研制中的应用

讨论了反射劳厄形貌术的优缺点，结合碲镉汞器件研制工作给出了实际应用的几个例子。如磅镉汞晶片结构检查，观察碲镉汞晶片表面的磨抛损伤、跟踪观察碲镉汞晶片在光刻、化学腐蚀成形、离子刻蚀成形前后的晶格变化等。     

多元半导器件的工艺方案

本文介绍了采用倒扣法来制作光导器件芯片的工艺方案。该方案具有工艺简单、成品率高、重复性好、光敏面的几何尺寸变化小，电阻值均匀等优点。     

碲镉汞小晶片缺陷的同步辐射形貌相分析

在北京正负电子对撞机国家实验室，用同步辐射拍摄了制备长波光导多元碲镉汞红外探测器的小晶片（面积小于１ｍｍ２）的高分辨率白光形貌相。实验结果表明：在碲镉汞小晶片中存在相当多的晶体缺陷，如亚晶界和晶格畸变区等。这些缺陷的存在说明样品受到较强的应力作用，样品晶格的完整性实际上反映了碲镉汞晶体生长和器件制备技术的应力控制水平。根据晶格的畸变模型，讨论了多元线列器件的性能与碲镉汞材料缺陷的关系。     

HgCdTe均匀化过程中的除湿法

HgCdTe均匀化过程中,试样对熔融石英安瓿壁的粘附,即“沾润”,可用减慢加热速度消除。目的是降低试样中Cd的活性,以便减慢Cd和硅壁之间的反应速度。     

注入n型碲镉汞单晶中铟的性能特点

近年来,研究各种杂质对碲镉汞单晶电物理性能的影响的兴趣日增。尤其在进行研究过程中已经表明,为了获得电导性,可适当地利用铟或镓这些Ⅲ族元素作为熔合杂质。这些杂质扩散相当快,能取代金属晶格中的汞或镉原子,起到施主中心的作用。本研究表明,在离子熔合和后继热处理相结合的一定条件下,铟也是呈现出受主特性。     

HgCdTe IR-CCD焦平面增益不均匀性及非线性的补偿

IR-CCD 阵列通常需要对阵列中各单元探测器之间的增益变化效应和偏移变化效应进行补偿。线性补偿技术不能完全满足焦平面要求,这是由于焦平面表现出较大的非线性响应,这种响应率是与阈值光通量及饱和光通量的数量级变化相关的。在混合型 CCD 中,特别是当 HgCdTe 作为探测器材料时,通常会出现这种情况。本文报告了一种应用于 HgCdTe IR-CCD 焦平面上的多点分段折线补偿方案。这种技术可使补偿后的响应按有效计算方式得到。给出了校正点数目和残余固有图象噪声数量之间的实验关系,并与以前的分析模型进行了比较。