空气中有害杂质对空分装置的危害及清除

通过分析大气中有害杂质对空分装王的危害，介绍防止空气中有害杂质进入空分装王的措施及清除方法。     

杂质元素对金属镝压缩强度的影响

研究了金属镝中所含Ｓｉ、Ｃａ、Ｆｅ和Ｏ４种杂质元素对其压缩力学性能的影响。结果表明，Ｓｉ元素和Ｏ元素含量的增加会降低镝的压缩强度，与此同时，其塑性也有明显地降低。金属镝中所含Ｃａ元素和Ｆｅ元素对其压缩强度的基本没有影响。     

利用“废镍皮”制取结晶硫酸镍

在镀镍溶液中采用低电流密度电解处理金属杂质时,常用薄铁片制成瓦楞形板,做为假阴极,电解处理过程中,与Cu~(2+)杂质被还原成金属铜沉积在瓦楞板上的同时,还有相当一部分Ni~(2+)还原成     

气相扩镓的杂质Rs效应分析

在确定的开管扩镓装置中，以氢气做为镓源Ｇａ２Ｏ３的反应和输运气体，凭借准确的控制扩散条件，镓在ＳｉＯ２／Ｓｉ系统中扩散，可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Ｓｉ和ＳｉＯ２中扩散行为，分析讨论了镓在裸Ｓｉ系和ＳｉＯ２／Ｓｉ系扩散所产生的杂质Ｒｓ效应，及其氧化膜质量和厚度对Ｒｓ的影响。     

激光区熔再结晶SOI的杂质分布与迁移率研究

本文介绍一种确定ＳＯＩ／ＭＯＳ结构中沿硅薄膜厚度多子漂移分布和杂质分布的简单方法（其掺杂剖面是随机不均匀的）。这种方法基于使用一种耗尽型晶体管与栅控二极管的组合结构。作者列举在激光区熔再结晶多晶硅制的ＳＯＩ结构和ＳＯＳ结构上以相同工艺制作器件的对比研究结果。由这些结果可见，在包含有晶粒间界和子晶粒间界的ＳＯＩ薄膜中，沿膜厚的载流子迁移率是恒定的，而且远远超过ＳＯＳ膜中的迁移率。     

ICP时序型单道扫描Kalman滤波法直接测定高纯氧化镨中的稀土杂质

本文以Ｋａｌｍａｎ滤波法在时序型ＩＣＰ单道扫描光谱仪上直接测定了氧化错中的痕量稀土杂质，并以该法校正了基体的光谱干扰和被测元素之间的相互干扰，考察了该方法的检出限，测定结果与干扰系数法基本一致，该法谱线选择自由，适合高纯稀土试样中杂质的直接测定。     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

梳针刺辊与锯齿刺辊分梳差异的研究

为研究刺辊类型、速度对纤维损伤和去除结杂的影响,用Uster AFIS单纤维测试系统,分别对三种梳针刺辊和一种锯齿刺辊在二档道夫速度和四档刺辊速度条件下所加工的生条进行了检测.结果显示:梳针刺辊在减少纤维损伤方面明显优于锯齿刺辊;梳棉机产量低时,梳针剌辊去除棉结的效果好一些,梳棉机产量高时,锯齿刺辊去除棉结的效果要好于梳针剌辊;梳棉机产量低时,大都以锯齿和梳针Ⅲ刺辊去除杂质效果好些,梳棉机产量高时,锯齿和梳针Ⅱ刺辊去除杂质效果好些.     

硅铁生产中杂质元素的控制

分析了硅铁生产中Al、Ca、C、Ti等主要杂质元素的来源，并相应采取精料入炉、炉外精炼、重熔和控制浇铸温度等方法进行控制，在降低硅铁杂质含量上取得较好效果。