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通过X射线衍射、扫描电镜、精密阻抗分析仪等对A位Y3 取代的Bi(1.5-x)YxZnNb1.5O7介质陶瓷样品的结构和介电性能进行了研究.结果表明:当Y3 取代量较少时(x≤0.2),样品保持立方焦绿石结构;当Y3 取代较多时(x≥0.4),样品出现第二相.随着取代量的增加,样品的致密化温度升高,表观密度减小,晶粒尺寸减小,介电常数减小,介电损耗增加.Y3 取代后(x≤0.8),样品的温度系数得到优化,且具有良好的高频稳定性.低温的介电弛豫现象随着Y3 取代的增加发生有规律的变化,表现为介电常数下降,介电常数峰宽化和平坦. 相似文献
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采用注浆成型法制得ZnO导电陶瓷。通过添加Al2O3、Cr2O3、Fe2O3、La2O3,探讨了各添加剂对ZnO陶瓷电性能的影响。结果表明,聚丙烯酸胺(PMMA)是ZnO粉体良好的分散剂,其质量分数在0.3%时可得到低粘度、高固含量的ZnO悬浮体。各种氧化物添加剂的添加量对ZnO陶瓷的室温电阻率及电阻温度特性具有较大的影响。随着Al2O3添加量的增加。ZnO陶瓷体的电阻率先略微减小然后增大,添加Cr2O3与添加Al2O3的效果相反;随着Fe2O3、La2O3添加量的增加。ZnO陶瓷体的电阻率增大,添加Al2O3、Cr2O3、Fe2O3、La2O3的ZnO陶瓷呈现负电阻温度特性。 相似文献
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采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜。通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果表明:在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃~300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴平行于衬底表面的(100)和(110)晶面生长。AlN薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分布在膜平面内,这可能是200℃的衬底温度下AlN薄膜介电性能较好的原因。 相似文献
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采用固相合成法制备了(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9系列微波介质陶瓷。通过XRD、SEM以及HP网络分析仪等测试手段对其烧结特性、晶体结构和微波介电性能进行了系统研究。结果表明:x<0.3时形成了(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9固溶体;x≥0.3时,除主相(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9外,还有少量第二相Li3Mg2NbO6生成。微波介电常数ε随x的增大持续升高,品质因数Q则先增大后减小。x=0.2,950℃,5h烧结样品的微波介电性能达到最佳:ε=12.7,Q.f=14078GHz(f0=8GHz)。 相似文献