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121.
本文针对介质电参数测量自动化与精确化的需要,综述了高Q谐振腔法测量介质复介电常数的基本方法,设计了一套基于VC 的、可兼容多种矢量网络分析仪与多种形式谐振腔的介质复介电常数变温测量软件系统,并论述了具体的开发设计过程.利用不同的方法测量多组介质片对软件进行测试,测量结果表明,该方法可以提高测量效率和精度,为介质复介电常数测量提供了一种有效的手段.  相似文献   
122.
通过4,4’-二(4-烯丙氧基苯甲酸)苯酯与POSS分子的硅氢化反应,合成了POSS交联聚合物。用FTIR、XRD对聚合物结构进行了表征,利用椭偏仪测量了薄膜的折射率和介电常数。通过改变单体与POSS投料摩尔比,可制备出k<2.5的低介电常数薄膜。  相似文献   
123.
采用LCP的多层电路板技术实用化瑞士的挠性印制板制造企业Diconecs公司成功使用液晶聚合物(LCP)材料制作多层印制板,并达到实用化。LCP作为印制板基材,适应电子信号高频高速传  相似文献   
124.
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试.系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值.  相似文献   
125.
彭胜  许家栋  韦高  张磊 《计测技术》2007,27(2):27-29
提出了六端口反射计测量介质材料复介电常数的一种改进方法,新的算法使测量面与参考面分离,消除了传统测量方法中测量面与参考面无法完全重合引入的误差.给出超越方程的简单准确的数值解法,得到了相对介电常数多值间隔与测量频率和样品长度的关系.实际测量结果表明本文方法的有效性和实用性.  相似文献   
126.
采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。  相似文献   
127.
以十甲基环五硅氧烷(DMCPS)和三氟甲烷(CHF3)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,制备了氟掺杂的SiCOH低介电常数薄膜。研究发现:随着CHF3/DMCPS流量比的增大,薄膜的沉积速率呈"N"型变化。根据薄膜结构和成分的傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)以及放电等离子体中基团分步的光强度标定的发射光谱(OES)分析可知:薄膜沉积速率的变化是由于CHF3进气量的增加导致薄膜生长从以沉积F-SiCOH薄膜为主过渡到以沉积氟化非晶碳(a-C:F:H)薄膜为主的结果。  相似文献   
128.
从Pendry的超级透镜成像理论出发,阐述了s光和p光入射情形的物像关系,推导了金属银膜作为超级透镜的条件,分析了消逝波和行波成分的成像特性,导出了近场条件下金属银膜超级透镜消逝波透射公式.利用Nicholas等报告的实验数据对其进行验证,得到透过率与横向波矢和银膜厚度的关系,并讨论了对于不同尺寸物体成像时的金属银膜厚度最佳值.研究结果表明,银膜超级透镜可以使成像质量大大改善.  相似文献   
129.
几乎所有的材料都表现为正折射。但1968年俄罗斯科学家Victor Veselago发现,如果磁导率和介电常数都是负的则表现为负折射。科学家已经制作了负折射器件例如高精度的超级透镜等。但他们使用的负折射材料都是实验室人工制备的。最近,德国研究机构发现,金属铁磁材料与其他负折射率材料有很大差别,在吉赫兹波段自然表现出负折射特性。  相似文献   
130.
为了研究CuO的不同掺杂浓度对表面等离子共振角的影响,提出一种新型的棱镜耦合法Ag-SnO2(掺杂CuO)复合膜表面等离子共振光学传感器结构.采用射频反应溅射法在清洗处理后的金红石棱镜上依次制备Ag膜(50nm),SnO2膜(50nm),CuO和SnO2膜(50nm)4层膜结构,CuO的厚度依其不同的掺杂体积分数的不同而不同,经过退火实现SnO2薄膜的掺杂得到复合膜.以He-Ne激光62.8nm为入射激励光源,通过采用表面等离子共振实验方法,CuO的掺杂体积分数分别为0,0.01和0.05时,得到共振角分别为59.61°,60.52°和61.3°的结果.结果表明,CuO掺杂的体积分数越大,表面等离子共振的共振角越大.  相似文献   
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