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122.
通过4,4’-二(4-烯丙氧基苯甲酸)苯酯与POSS分子的硅氢化反应,合成了POSS交联聚合物。用FTIR、XRD对聚合物结构进行了表征,利用椭偏仪测量了薄膜的折射率和介电常数。通过改变单体与POSS投料摩尔比,可制备出k<2.5的低介电常数薄膜。 相似文献
123.
采用LCP的多层电路板技术实用化瑞士的挠性印制板制造企业Diconecs公司成功使用液晶聚合物(LCP)材料制作多层印制板,并达到实用化。LCP作为印制板基材,适应电子信号高频高速传 相似文献
124.
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试.系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值. 相似文献
125.
126.
127.
王婷婷 《西华大学学报(自然科学版)》2007,26(6):48-51
以十甲基环五硅氧烷(DMCPS)和三氟甲烷(CHF3)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,制备了氟掺杂的SiCOH低介电常数薄膜。研究发现:随着CHF3/DMCPS流量比的增大,薄膜的沉积速率呈"N"型变化。根据薄膜结构和成分的傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)以及放电等离子体中基团分步的光强度标定的发射光谱(OES)分析可知:薄膜沉积速率的变化是由于CHF3进气量的增加导致薄膜生长从以沉积F-SiCOH薄膜为主过渡到以沉积氟化非晶碳(a-C:F:H)薄膜为主的结果。 相似文献
128.
从Pendry的超级透镜成像理论出发,阐述了s光和p光入射情形的物像关系,推导了金属银膜作为超级透镜的条件,分析了消逝波和行波成分的成像特性,导出了近场条件下金属银膜超级透镜消逝波透射公式.利用Nicholas等报告的实验数据对其进行验证,得到透过率与横向波矢和银膜厚度的关系,并讨论了对于不同尺寸物体成像时的金属银膜厚度最佳值.研究结果表明,银膜超级透镜可以使成像质量大大改善. 相似文献
129.
朝阳 《激光与光电子学进展》2007,44(7):8-8
几乎所有的材料都表现为正折射。但1968年俄罗斯科学家Victor Veselago发现,如果磁导率和介电常数都是负的则表现为负折射。科学家已经制作了负折射器件例如高精度的超级透镜等。但他们使用的负折射材料都是实验室人工制备的。最近,德国研究机构发现,金属铁磁材料与其他负折射率材料有很大差别,在吉赫兹波段自然表现出负折射特性。 相似文献
130.
为了研究CuO的不同掺杂浓度对表面等离子共振角的影响,提出一种新型的棱镜耦合法Ag-SnO2(掺杂CuO)复合膜表面等离子共振光学传感器结构.采用射频反应溅射法在清洗处理后的金红石棱镜上依次制备Ag膜(50nm),SnO2膜(50nm),CuO和SnO2膜(50nm)4层膜结构,CuO的厚度依其不同的掺杂体积分数的不同而不同,经过退火实现SnO2薄膜的掺杂得到复合膜.以He-Ne激光62.8nm为入射激励光源,通过采用表面等离子共振实验方法,CuO的掺杂体积分数分别为0,0.01和0.05时,得到共振角分别为59.61°,60.52°和61.3°的结果.结果表明,CuO掺杂的体积分数越大,表面等离子共振的共振角越大. 相似文献