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101.
电化学法处理废硬质合金直接回收金属钴和碳化钨 总被引:4,自引:0,他引:4
首次采用电化学法处理废硬质合金直接回收金属钴和碳化钨,工艺简单可靠,具有较好的环境和经济效益。 相似文献
102.
低频电磁场作用下铸造铝合金过程中,优化的结晶器应该在电源频率相同、较低的电流下在铝熔体内部能够获得所需要的磁场强度.结合生产实际情况,设计出工业上实用的低频电磁铸造铝合金结晶器.在结晶器外套材料的不同情况下,对低频电磁铸造铝合金过程的电磁场进行了三维有限元数值模拟.模拟结果表明,当结晶器外套为软磁材料时,铝熔体内部磁场强度得到明显加强. 相似文献
103.
AlSi7Mg合金熔体等温处理中组织形态的演变 总被引:3,自引:7,他引:3
研究了AlSi7Mg合金在液相线附近不同的温度下保温时,其凝固组织形态的演变规律。在600—650℃之间不同的温度下对AlSi7Mg合金保温30min处理,研究了合金中初生α相的形态随温度改变而演变的过程。试验结果表明:在605—650℃之间保温时,随着保温温度的降低,初生α相逐渐由发达的树枝晶向蔷薇状枝晶和粒状晶转变;在605℃保温30min,可得到尺寸较小、分布均匀的粒状初生α相,在605℃以下保温时,初生α相又开始向蔷薇状形态演变。另外,在605℃下对AlSi7Mg合金进行不同时间的保温处理,结果显示:随着保温时间由10min延长到60min,初生α相的形态经历了由不规则的枝晶到均匀的粒状等轴晶再到蔷薇状组织的转变过程。 相似文献
104.
研究了ICP─AES法对PtPdRh、PtPdRhCe、PtPdRhY合金中Pd、Rh、Ce、Y的同时测定方法。通过对同一样品不同测定方法对照,认为本方法简便、快速、适用性广。本法测定的范围是;Cc、Y0.1~1%;Rh0.6~6%;Pd2~20%。相对误差最大为2%,变差系数<1%。 相似文献
105.
106.
论述了压铸镁合金用于汽车轻型结构件的性能优势 ,分析和介绍了一些主要牌号压铸镁合金的化学成分、成型工艺和使用性能特点以及在发达国家汽车工业中的应用现状和发展趋势。依此呼吁 ,作为头号镁资源大国的中国 ,压铸镁合金的研究、开发与应用已势在必行 相似文献
107.
采用自行开发的控制往复喷射成形专利技术,以产业化规模制备了铝合金锭坯,研究了对传统铸造A356铝合金的组织及其力学性能的影响.结果表明:喷射成形态合金组织均匀,致密度达到95.8%;挤压态合金中均匀分布大量细小Si颗粒;固溶温度为540℃,时效温度为160℃,时效10 h时硬度达到峰值,继续延长时效时间对硬度值影响甚微;经过固溶时效处理的A356铝合金常温抗拉强度σb=337 MPa,屈服强度σ0.2=281 MPa,伸长率δ5=18.3%,分别提高21.2%,35.7%,205%. 相似文献
108.
当采用涡流法检测铝硅合金活塞显微组织级别时,合金的含硅量、变质剂的加入量以及温度变化都将影响分级结果的准确性。分析了由以上因素引起的显微组织的分级误差,确定了含硅量不同时的修正因子,变质剂的加入量以及温度变化时的校核方式,并采用数理统计方法分析了测试的可靠性,最后得出该涡流检测的分级准确率可迭99%。 相似文献
109.
二元合金等轴枝晶生长相场模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
在传统纯物质相场模型的基础上,对其中的体系自由能进行重新构造,得到一个紧密联系相图且综合考虑了传热、溶质扩散、界面能各向异性和界面动力学各向异性等适用于二元合金枝晶生长的新相场模型,并利用该模型结合一种能显著提高计算效率的“临界面点相场大梯度计算域控制法”,对AJ-7Si合金在初始过冷度分别为35K和50K的过冷熔体中等轴枝晶生长进行了模拟,得到许多与试验观察相符合的结果;同时在枝晶生长过程中跟踪枝晶主轴尖端,获得其尖端半径和尖端速率,发现随着凝固时间的增加,逐渐收敛,直到枝晶达到稳定生长,而且通过简化KGT模型计算的枝晶尖端的生长速率与模拟值相近。另外,就过冷度对等轴枝晶生长的影响进行了分析。 相似文献
110.
L. Lee 《Corrosion Science》2007,49(1):72-80
De-alloying of a 70Cu-30Pt alloy has been studied with a view to testing the thermodynamic prediction that a novel kind of underpotential or sub-potential electrodeposition may be possible in such highly curved nanoporous solids. After de-alloying in H2SO4 solution containing CuSO4, successive cathodic processes of PtO monolayer reduction, UPD of Cu, and a Cu plating process were identified, all occurring at potentials above the Cu equilibrium potential. The maximum amount of charge in the third plating process was determined to be about three monolayers, averaged over the whole porous surface. This seems to rule out the possibility that this process is some kind of second UPD layer or other non-bulk form of Cu plating. A probable explanation is that small amounts of bulk Cu are plating into regions of high negative curvature within the de-alloyed material. However X-ray diffraction did not show any evidence of bulk Cu. 相似文献