不留痕迹的可剥除粘接标签

德国Bayer(拜耳)公司的EVM材料已被用于新型可剥除粘接性标签。德国Nordenia公司提供的“新一代标签”有一层粘接性涂层Levamelt,新开发的粘接层还包括耐碱、防刮PP(聚丙烯)薄膜,可印刷成多种颜色和切割成不同规格,这种标签容易粘贴,而且除去后不留痕迹或残余物。     

工艺参数对纳米颗粒Cu/SiO_2复合薄膜结构和光谱特性的影响

用离子束溅射法制备了具有反常光吸收特性的纳米颗粒CU／SiO2复合薄膜。获得了在离子来参数一定时，基片温度、膜料的沉积时间和镀膜后的保温时间等工艺参数对这种薄膜结构和光学特性的影响规律，并对纳米颗粒Cu／SiO2复合薄膜的反常光吸收特性作了计算和解释。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．     

钛酸锶钡薄膜的电子显微研究

传统的硅工业一直按照摩尔定律的预测在向高集成度发展。动态随机存储器的存储密度也需要不断的提高 ,也就是要求同样的信息存储在更小的面积内。传统的方法是通过不断地减小介电层 (非晶ＳｉＯ2 )的厚度来满足动态随机存储器向高集成度发展的要求的。然而 ,当电介质的厚度小到一定程度后 ,电子的隧道穿透效应将会使该器件无法工作 ,这个厚度就是它的极限厚度。约 80年代末期 ,人们开始普遍的关注到这个极限的到来 ,并开始寻找解决的途径。其中最有希望的途径就是利用高介电系数的电介质替换低介电系数的ＳｉＯ2 ,也就是通过提高电介质的介…     

薄膜电感与薄膜变压器的开发及其应用

近年来，以开关电源用电感为中心的微型磁件的研究取得了很大进展。本文首先讨论论影响薄膜电感和薄膜变压特性的诸要素，重点探讨薄膜材料的趋肤深度参数，并介绍薄膜电感和薄膜变压器的最新开发动向。     

石英摆片导带“断裂”故障分析

叙述了真空蒸发金属膜的形成过程和膜层结构，运用金属原子迁移理论分析了挠性力平衡力速度传感器石英摆片导带“断裂”故障，提出了增强可靠性的技术途径。     

SnO2超微粒子薄膜的气敏特性研究

作者用自行设计的直流气体放电活化反应蒸发装置制备出平均粒径约为40nm的SnO_2超微粒子薄膜.研究了不同氧分压下所得SnO_2超微粒膜的形貌、结构和组成等特性,以及不同样品对各种易燃气体的气敏特性,得出了灵敏度随氧分压及灵敏度随工作温度的变化曲线.     

高速应用的薄膜MCM材料评述

信号频率在１００ＭＨｚ以上时，材料性质对薄膜多芯片组件（ＭＣＭ－Ｄ）的性能变得越来越重要。本文讨论高频下材料性质对ＭＣＭ－Ｄ的电性能的影响。着重讨论介电常数、介质损耗角正切、互连金属电阻和互连金属趋肤深度等对系统性能的影响。对常用的ＭＣＭ－Ｄ材料的这些性质作了比较。