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91.
92.
基于OTRA的通用双二阶滤波器设计 总被引:3,自引:1,他引:2
提出了把通用双二阶滤波器视为负反馈放大器的观点,根据反馈电路的基本方程,利用3个MOS电阻、2个电容、2个运算跨阻放大器(OTRA)构成了通用双二阶滤波器,该滤波器不仅可从同一端口输出信号,从不同端口输入信号,而且可获得低通、高通、带通、带阻和全通输出.该电路结构简单,便于电控调谐. 相似文献
93.
ZnS, ZnSe, and CdTe polycrystals are experimentally investigated. Mechanisms are treated which restrict the thermal conductivity in samples prepared by recrystallization pressing and by deposition from the vapor phase and subjected to additional strain. Anomalies are observed on the temperature dependences of the thermal resistance of investigated samples, which are due to the special features of their phonon spectra and to the variation of the contribution made by longitudinal and transverse phonon branches to the heat transfer in the Debye temperature region and higher. 相似文献
94.
Modern methods of determining fracture resistance are analyzed. The necessity of developing a crucially new method based on edge chipping of a brittle material is shown. The results of experimental studies are presented. The applicability of the method to the comparative fracture resistance evaluation of ceramics is substantiated. 相似文献
95.
Gleeble 3800热模拟试验机在宝钢的典型应用与功能开发 总被引:4,自引:0,他引:4
热模拟试验可研究成分与各工艺参数对组织和性能的影响,用于指导产品设计和实际生产工艺的制定,还有助于建立数学模型。文章介绍了Gleeble 3800热/力模拟试验机在宝钢实际应用中的几个典型试验,包括高温热塑性试验、多道次变形试验、冷轧薄板相转变点试验和HAZ焊接热影响区热模拟试验等。这些试验可用来解决连铸、轧钢和冷轧产品热处理生产中存在的一些问题。 相似文献
96.
V. P. Efimov 《Journal of Mining Science》2003,39(4):384-386
The procedure is proposed for estimating the crack resistance and tensile strength of rocks by the results of experiments on disk samples with holes. The gradient approach to the strength problem is employed in processing the experimental data. 相似文献
97.
98.
一种新型陶瓷材料及其耐磨性 总被引:5,自引:0,他引:5
对新型Al2O3-TiC-Co陶瓷的磨粒磨损,冲蚀磨损及其在单颗粒作用下的摩擦磨损行为进行了研究。与AT30(70wt%Al2O3-30wt%TiC)陶瓷相比,Al2O3-TiC-Co陶瓷具有更为良好的耐磨性,金属钴的存在提高了基体的韧性,细化了晶粒,其综合力学性能得到了显著提高,ATC陶瓷样品耐磨性与其强韧化水平和细致的组织结构有关。 相似文献
99.
A remarkable nonlinearity has been observed for electric transport in K-TCNQ (potassium tetracyanoquinodimethane) quasi-one-dimensional
conductor. The negative differential resistance region appears afterV
m (turn over voltage), beyond which voltage goes down with increase of current. A possible mechanism is discussed in terms
of dynamics of charged solitons and domain walls in one-dimensional molecular stacks of these types of crystals. 相似文献
100.