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41.
Sn-Zn钎料被认为是传统Sn-Pb共晶钎料的最佳替代合金之一,它以低廉的成本、较好的力学性能以及其共晶成分与Sn-37Pb钎料熔点相近等优点引起了人们的广泛关注,但其润湿性、抗氧化性、抗腐蚀性不够理想.阐述了Bi、A1、In、Ag、Cu及稀土元素(RE)等典型添加元素对Sn-Zn钎料各种性能的影响,以期为Sn-Zn钎... 相似文献
42.
为提高高功率半导体激光器封装质量,对AuSn焊料预热温度进行研究。通过分析AuSn焊料共晶原理,建立四组不同预热温度的AuSn焊料封装试验。通过对比不同预热温度下封装器件的光电参数,光谱特性及SEM检测效果,对实验结果进行分析。实验结果表明AuSn焊料的预热温度对高功率半导体激光器封装质量有重要影响,并得出AuSn焊料预热温度在235℃时高功率半导体激光器的封装质量最为理想。 相似文献
43.
采用正交试验法设计低熔点Al-Si-Cu-Mg系钎料成分,通过金相、硬度、铺展及差热等方法,分析钎料的显微组织及性能。结果表明:钎料的组织主要由基体相α-Al、粒状相Mg2Si、骨骼状相Al2Cu(θ相),以及θ相和Mg2Si的复杂共晶组成;合金元素对显微硬度及熔化特性的影响由主到次的顺序为Cu、Si、Mg;受金属间化合物Al2Cu和Mg2Si以及初晶Si析出的影响,当Cu、Si含量达到一定值(10%Cu、7.5%Si)后,钎料铺展面积变化不大,试验配方中Al-7.5Si-20Cu-0.4Mg熔点529℃时,铺展面积大,综合性能良好。 相似文献
44.
利用ANSYS有限元分析软件,根据钨极氩弧焊焊接特点,建立了高斯衰减热源模型,并在一定厚度、一定焊接工艺条件下对Monel-400合金板焊接温度场进行了模拟计算。模拟结果分析得到:利用高斯旋转热源在焊接过程中形成了长度为12 mm,宽度为7 mm,深度为5 mm的熔池。熔池上表面与下表面温度相差约620℃,热影响区节点温度随到焊缝中心距离的增加而不断减小。模拟结果表明改进后的热源模型与实际焊接较为吻合,有利于提高焊接温度场的模拟计算精度。 相似文献
45.
高铬铸铁耐磨堆焊埋弧药芯焊丝研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用自动埋弧堆焊对高铬铸铁埋弧药芯焊丝堆焊合金的组织及耐磨性进行试验,研究Cr/C对堆焊层的组织和耐磨性的影响.研究发现,Cr/C增加,初生碳化物形状越来越规则,初生碳化物的杆状纤维增长,增加堆焊层的韧性.初生碳化物微区Cr含量增加,增加初生碳化物显微硬度.Cr/C与初生碳化物面积分数对耐磨性的影响比较明显,其中初生碳化物面积分数与耐磨性呈线性关系.高铬铸铁堆焊层的耐磨性受到基体组织影响较大,由奥氏体及其分解产物构成的混合基体的堆焊层耐磨性最大.文中所研究的41#、43#、45#焊丝其堆焊层的耐磨性非常好,相对Q235钢的耐磨性分别为β41=27.1716、β43=18.6305和β45=19.7949.文中进一步探讨了耐磨堆焊层磨损过程中的孔洞效应及裂纹扩张效应. 相似文献
46.
47.
Sn-9Zn无铅钎料合金的压蠕变行为研究 总被引:1,自引:0,他引:1
试验研究了Sn-9Zn合金钎料在温度为40~100℃和压力为9.3~18.6MPa范围内的压蠕变行为。结果表明:随温度和应力的升高,合金的压蠕变量增大,稳态蠕变速率的对数分别与应力对数和温度呈较好的线性关系,稳态蠕变速率符合半经验公式。在不同的温度下,应力指数n相近,平均值为5.74;不同的应力下,表观激活能Qa相差不大,平均值为51.95kJ/mol,材料结构常数为0.03,压蠕变变形是位错滑移和位错攀移共同作用的结果,控制稳态蠕变速率的主要因素为位错管道扩散过程控制下的位错攀移。 相似文献
48.
采用搭接面积为1mm^2的单搭接钎焊接头,研究了恒定温度下,应力对纳米颗粒增强的SnPb基复合钎料钎焊接头的蠕变寿命的影响。结果表明,纳米颗粒增强的SnPb基复合钎料的蠕变抗力优于传统SnPb钎料。同时钎焊接头的蠕变寿命随应力增加而降低,且应力对复合钎料钎焊接头蠕变寿命的影响较传统63Sn37Pb钎料明显。 相似文献
49.
50.
Joo-Youl?HuhEmail author Sang-Uk?Han Chang-Yong?Park 《Metals and Materials International》2004,10(2):123-131
The effect on the growth kinetics of the intermetallic compounds (IMCs) in solder/Cu joints, caused by adding Bi to eutectic
Sn-3.5Ag solder alloy, was examined at the aging temperatures of 150°C and 180°C. The Cu6Sn5 layer growth was significantly enhanced, but the Cu3Sn layer growth was slightly retarded by the addition of Bi, resulting in significant growth enhancement of the total (Cu6Sn5+Cu3Sn) IMC layer with increasing Bi addition. The IMC layer growth in the Bi-containing solder joints was accompanied by the
accumulation of Bi ahead of the Cu6Sn5 layer that resulted in the formation of a liquid layer at the Cu6Sn5/solder interface. A kinetic model was developed for the planar growth of the Cu6Sn5 and Cu3Sn layers in the solder joints, accounting for the existence of interfacial reaction barriers. Predictions from the kinetic
model showed that the experimental results could be well explained by the hypothesis that the formation of a Bi-rich liquid
layer at the Cu6Sn5/solder interface reduces the interfacial reaction barrier at the interface. 相似文献