激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析

分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型，给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN／Al2O3材料温度分布的解析形式，得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明，单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比，并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时，分界面的温度呈锯齿状不断升高。     

前磁曲线数据数字化预处理

本文结合前磁曲线的特点，提出了一种结合空间分布信息的大津阈值方法，克服了传统预处理过程中的缺陷，很好地解决了那些类似于照片纸张扫描的灰度图中背景与目标曲线的灰度非常接近的问题，并在实际应用中取得了良好的效果。     

时频域自动识别与压制高频噪声

本文在分析张宇等及钱忠平等提出的高频噪声判别准则基础上,利用夏洪瑞等根据在窄档等频距小波分频之后识别、压制高频噪声的思路,提出在时频域将代表地震道主要能量的几个频带的平均振幅绝对值作为正常子波的平均振幅绝对值,以此来识别和压制高频噪声的异常振幅。实际处理结果表明,此法不仅可以压制高频谐振及高频突发噪声,而且可以保护弱地震反射信号不受损害。     

脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的解析计算

在实验的基础上 ,分析脉冲激光诱导半导体InP掺杂Zn过程 ,利用简化的一维模型 ,在第三类边界条件下 ,给出一种较直观的脉冲激光辐照有限厚双层材料Zn/InP的温度分布解析形式     

重油裂解制乙烯(HCC)工艺硫分布研究

HCC技术在工艺上有别于蒸汽裂解和FCC,为了有效防止设备腐蚀,对HCC硫分布规律进行了研究。HCC工艺中60％以上原料硫转移到气体中,而气体中的硫95％以上是硫化氢,气体防腐以防硫化氢腐蚀为主;液体产品中的硫占原料总硫的(11～28)％,其中98％以上的硫是噻吩类硫,(1～2)％硫的非噻吩类硫,低于同种原油焦化和催化裂化柴油的非噻吩类硫含量,其硫腐蚀性较低。     

用于荧光灯的一种单片电子镇流器

VK06TL集成电路有很多功能。这些功能通常需要用大量组件来实现。例如预热电路、荧光灯管使用到最后阶段的保护电路、热保护、双向击穿二极管功能。由于器件本身的运作模式,在荧光灯管使用到最后阶段时能够限制流过电路的大电流,该功能通过在外面增加一个简单便宜的电阻器-二极管电路实现。该器件的工作频率可以用外面的两只电容器来设定。器件中的保护电路提高了器件本身的可靠性以及整个系统的可靠性。     

河口海岸近底层潮流速分布模式初步研究

许多现场实测资料表明,潮流近底流速剖面偏离传统的对数分布。虽然偏离值可能不大,但利用对数剖面去计算河底粗糙长度和剪切应力时会引起较大的误差。有研究者的数值试验表明,如果通过流速是对数分布来估计粗糙长度和底部切应力,偏差可能超过100%(Kuo等,1996)。本文从流体动力学原理出发,利用Prandtl混合长度和Von Karman自相似理论,建立河口海岸近底层潮流速分布的对数线性模式。通过对英国大陆南部西Solent水道实测水流垂向分布进行枚举粗糙长度z0结合最小二乘法拟合,并将计算结果与传统的对数模式的结果比较,表明本文模式有以下优点:①精度高,计算值更接近实测值;②所确定的粗糙长度z0和摩阻流速u*的相关系数更高,且两者在相位上更趋一致。     

厚膜永磁阵列微致动器的磁路研究

研究了厚膜永磁阵列微致动器中的磁场分布，并研究了永磁阵列单元几何尺寸对微致动器电磁力的影响。结果表明，厚膜永磁阵列单元高宽比和磁体单元间隔对微致动器电磁力影响较大磁徕单元高宽比为0．7是一个比较合适的尺寸。     

WCDMA与GSM共享室内分布系统设计

文章首先对WCDMA与GSM共享室内分布系统的可行性进行了分析，然后提出了相关设计指标的建议值和典型的设计方案，对时下正热门的2G／3G共享室内分布系统的设计具有一定的参考意义。     

流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3／C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加，成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大，而刻蚀基团F的密度也会增加，从而使得a—C：F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明，在高CHF3流量下沉积的a—C：F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C：F薄膜的制备中CHF3／(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。