GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制

利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁移率已达１１４ｃｍ２／Ｖ．ｓ，载流于浓度为２×１０１８。７７Ｋ光致发光谱近带边发射峰波长为３６５ｎｍ，其线宽为４ＤｍｅＶ。Ｘ射线双晶衍射回摆曲线的线宽为３６０ａｒｃｓｅｃ。用Ｚｎ掺杂生长了绝缘的ｉ－ＧａＮ层。在此基础上研制了ｍ－ｉ－ｎ型ＧａＮ的ＬＥＤ，并在室温正向偏压下发出波长为４５５ｎｍ的蓝光。     

离子注入浅结制备技术

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）和反冲离子注入等。     

溶胶—凝胶法莫来石被覆SiC复合微粒子的制备

本文采用溶胶－凝胶法以组成为３Ａｌ２Ｏ３．２ＳｉＯ２的混合溶胶分别于和压力条件下，对ＳｉＣ微细粉进行包覆处理，该涂覆层在低于１０００℃下经１ｈ热处理可结晶成莫来石层，研究了涂覆溶胶浓度、涂覆压力对涂层厚度、结晶化温度等的影响，涂覆后的ＳｉＣ微粉在中高温的表面抗氧化性明显提高。     

熔盐电解法生产铅-锶合金的研究

测量了SrCl_2—KCl—SrF_2熔度图,研究了熔盐电解法生产Pb—Sr合金中Sr的浓度和电流效率。在此基础上给出了工业电解槽设计的工艺函数图。     

再谈巧用INKEY （）函数

POXBASEK的中INKEY（X）函数是个键盘输入函数，该函数的主要功能是暂停程序运行，等待用户键入任一键，而后程序才能继续往下执行，但在使用中发现，该函数除了这一功能外，还有其它妙用，下而我将使用中的一些小技巧介绍如下：1巧获键码值我们知道INKEY（X）而数不管键盘有无输入，其总是有一个返回值。当无键盘输入时，返回值为0；当有键盘输入时，返回值是该键的ASCII码值。利用这一特点，我们就可以巧获键码值，以免有时为了获得一个键码值，找ASC－II码表查询的麻烦，下面这个小程序为你提供这一功能。你只要根据提示，按…     

MS—DOS6.0下多种系统软件的应用

MS—DOS6.0以其优越的磁盘和内存管理赢得了广大计算机用户的喜爱。一部计算机上可能配制了多种系统软件,如:金山DOS,213,网络软件,以及占内存很大的应用软件,如:AUTOCAD,FOXBASE2.10+等,这些软件在使用内存上往往会有冲突。     

Ge/Pd/n-GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X 和CsX 信号检测的Ge，Pd，Ga和As的深度分布。结果表明采用CSX 可以提供更准确的结果和成分信息。     

用毛细管柱气相色谱法分析煤焦油高馏分产物中菲,蒽及咔唑的含量

采用气相色谱法，在长２５ｍ、内径０．２ｍｍ的ＯＶ－１０１交联弹性石英毛细管柱和２５０℃柱温下，对煤焦油高馏分产物中菲、蒽及咔唑含量进行了定量分析。     

应用气相色谱分析判断电石炉变压器故障

我厂是目前国内最大的电石生产厂家。电石产品的产量、质量、消耗等指标直接受到电石炉变压器的安全、可靠运行所制约。因此,如何快捷、准确的判定电石炉变压器运行状态及事故状态下故障的部位、性质和程度,以便于正确采取相应措施,是电石生产操作者的重要工作内容之一。