基于氮化镓的导模共振滤波器仿真分析

根据严格耦合波理论和等效介质理论,提出了针对C波段、基于半导体材料氮化镓的亚波长导模共振滤波器结构及设计方法。详细探讨了在强调制光栅的高占空比作用下,光栅周期和入射波角度对滤波器反射谱共振波长的影响。在保持滤波效果为高衍射率(共振波长峰值反射率达到99.5%以上)、低旁带和窄线宽的条件下,利用其对入射波角度的敏感性,结合仿真数值提出了一种通过 MEMS(微机电系统)平面反射镜调谐入射角角度(0~4.07°),从而线性地控制共振波长输出(调谐范围为36 nm),实现峰值半宽高低于0.8 nm的C波段可调滤波器。     

氮化镓研发的新应用

至今氮化镓（GaN）在LED方面的应用已经获得了巨大成功，目前这方面的主要工作还是提高绿光的发光效率。在其他半导体中的应用情况也大致如此。虽然取得了巨大进步，但是激光生长氮化物还必需本底。目前只有短波垂直共振腔表面放射激光中没有使用GaN成分，提高发射率和传导率仍是主要问题所在。     

GaN压电效应对载流子浓度的影响

在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变．随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌ测试得到的背景电子浓度增大．本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释．     

夏普领导240万美元发光二极管项目

夏普欧洲实验室领导下的英，国小组正从事一项为期两年120万英镑（240万美元）的项目，研究用于液晶背光显示的光子晶体氮化镓（GaN）发光二极管（LED）。     

GaN蓝光材料及其应用

本文介绍了作为第三代电子材料的ＧａＮ的基本性质，综述了其主要制备方法及应用领域，对其应用前景进行了预测。     

GaN薄膜低温外延的ECR-PAMOCVD技术

给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）技术和在低温（≤６００℃）、极低气压（≤１Ｐａ）下生长ＧａＮ外延膜的装置、工艺及实验结果。并与以往的ＧａＮ外延技术进行了比较，说明了这种新的低温外延技术的独特优点。     

半导体灯掀起照明的绿色革命

1 半导体灯乃大趋所势 当今世界高新技术产业发展有一个值得注意的动向是,半导体技术继引发微电子革命之后,又在孕育一场新的产业革命——照明革命.由于半导体灯具有节