半导体蓝光

叙述了当前以ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的崛起。ＧａＮ因其优良的特性而被用于制造蓝色发光二极管和激光二极管，引起了世界蓝光热。它的研究不仅是高技术的前沿课题，而且是具有巨大市场前景的技术经济竞争领域。蓝色发光二极管和激光器在全色动态显示、固体照明光源、交通信号灯、汽车尾灯、光盘信息贮存以及深海通信等领域都有广阔应用前景。     

用三带和全带模型蒙特卡罗方法模拟纤锌矿相GaN体材料输运特性结果的比较

报道了分别用三带和全带模型蒙特卡罗方法模拟纤锌矿相GaN体材料输运特性的结果,并对基于两种模型的模拟结果进行了比较.在低场区,基于两种模型获得的输运特性基本相同,但在高场区却表现出明显的差别.这是因为在高场区,电子平均能量较高,多数电子处于能带图中的高能态位置,电子能量与波矢量的关系表现出明显的非椭圆特性.由于三带模型假定了能量与波矢量简单关系,故算得的平均能量,高于由全带蒙特卡罗模拟算得的能量.从而导致其它特性的差别.全带模型包含了基于能带理论算得的能带结构的所有特性,故模拟结果更加精确.     

GaN的低压MOCVD生长模型

用停滞边界层理论分析了低压MOCVD外延GaN的生长模型。通过优化反应室结构和工艺条件，成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的GaN外延层。     

蓝光二极管激光器

辐射蓝光的氮化镓半导体激光器研制工作中的最新成就可能具有广泛的技术和商业上意义。这种短波长激光的波长在 4 0 0 nm左右 ,仅为砷化镓激光的一半。因此将它们应用于光存贮和打印能得到更高的空间分辨率。高光子能量也将为这些价格低廉而小巧的光源打开新应用领域。将现有的红外和红光波段成熟的半导体激光技术延伸到包括蓝光及近紫外区域 ,让使整个可见光谱联结起来 ,让使半导体激光器成为一种完全令人满意的器件。同时由于对此类器件尚有大量的微观机制未搞清楚 ,因而提出了很多研究课题 ,例如电荷的控制、输运 ,以及受激辐射光增益的…     

蓝光激光二极管—大门已经敞开

在蓝光区及近紫外光区方面,半导体发光体及监测器具有巨大的潜力。特别是蓝光发光体(发光二极管及激光二极管)的广泛应用十分引人注目:极高密度磁光存储器、彩色显示器、数字成像、高清晰度激光打印机、全息照相存储器、极高容量通信系统、光学计算机及专用医疗及军事系统。应用范围不胜枚举,而经济潜力也很巨大。位于索菲亚安提菠利斯(Sophia Antipolis)(法国东南部)的“异质外延研究及应用中心”(CRHEA)正在对锌硒矿及氮化镓异质结构进行试验     

氮化镓纳米铅笔与纳米塔制备及优异场发射性能研究

通过化学气相沉积法,用氧化镓和氨气反应成功制备出氮化镓纳米铅笔和纳米塔。通过扫描电镜表征发现氮化镓纳米铅笔分为两个部分:底部是一个大直径的纳米线,顶部是一个小直径的纳米线;氮化镓纳米塔为层状结构。氮化镓纳米铅笔和纳米塔的形成机理是气-液-固机制。场发射性能测试显示氮化镓纳米铅笔的开启电场为2.6 V/μm,纳米塔的开启电场为4.1 V/μm,这使得它们可以用于场发射平板显示及显示装置的冷阴极电子源,它们还可以使用于设计复杂纳米电子器件。     

EPC的eGaN要替代MOSFET和IGBT

宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation,EPC)是氮化镓(GaN)功率晶体管先行者。EPC称,其率先推出的商用增强型(enhancement-mode)硅基板氮化镓(GaN-on-Silicon)功率晶体管器件,产品性能高于传统硅功率MOSFET数倍,可适用于服务器、基站、笔记本电脑、手机、LCD显示器、D类功率放大器等。     

MOCVD外延生长GaN材料的技术进展

第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。其中HVPE技术制备GaN的速度最快,适合制备衬底材料;MBE技术制备GaN的速度最慢;而MOCVD制备速度适中。因而MOCVD在外延生长GaN材料方面得到广泛应用。介绍了MOCVD法外延生长GaN材料的基本理论、发展概况、利用MOCVD法外延生长GaN材料的技术进展。认为应结合相关技术发展大面积、高质量GaN衬底的制备技术,不断完善缓冲层技术,改进和发展横向外延技术,加快我国具有国际先进水平的MOCVD设备的研发速度,逐步打破进口设备的垄断。     

X波段四路合成氮化镓功率放大器

本文利用自主研制的SiC 衬底的,栅宽为2.5mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了X波段氮化镓合成固态放大器模块。模块由AlGaN/GaN HEMT器件,Wilkinson功率合成/分配器,偏置电路和微带匹配电路构成。为了使放大器稳定,在每一路放大器的输入端和输出端加入了RC 稳定网络,在栅极和直流输入之间加上稳定电阻,并且利用3/4 λ 枝接的威尔金森功率合成/分配器,从而有效消除其自激和低频串扰问题。在连续波条件下(直流偏置电压为Vds=27V,Vgs=-4.0V),放大器在8GHz频率下线性增益为5dB,最大效率为17.9%,输出功率最大可为42.93dBm,此时放大器增益压缩为3dB。四路合成放大器的合成效率是67.5%。通过分析,发现了放大器合成效率的下降是由每路放大器特性的不一致、功率合成网络的损耗以及电路制造误差所造成。