全文获取类型
收费全文 | 865篇 |
免费 | 93篇 |
国内免费 | 131篇 |
专业分类
电工技术 | 60篇 |
综合类 | 27篇 |
化学工业 | 21篇 |
金属工艺 | 29篇 |
机械仪表 | 9篇 |
建筑科学 | 6篇 |
矿业工程 | 1篇 |
能源动力 | 4篇 |
轻工业 | 1篇 |
石油天然气 | 2篇 |
无线电 | 765篇 |
一般工业技术 | 126篇 |
冶金工业 | 11篇 |
原子能技术 | 9篇 |
自动化技术 | 18篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 38篇 |
2022年 | 39篇 |
2021年 | 49篇 |
2020年 | 17篇 |
2019年 | 38篇 |
2018年 | 18篇 |
2017年 | 26篇 |
2016年 | 23篇 |
2015年 | 36篇 |
2014年 | 54篇 |
2013年 | 39篇 |
2012年 | 42篇 |
2011年 | 77篇 |
2010年 | 45篇 |
2009年 | 47篇 |
2008年 | 52篇 |
2007年 | 64篇 |
2006年 | 36篇 |
2005年 | 41篇 |
2004年 | 37篇 |
2003年 | 36篇 |
2002年 | 39篇 |
2001年 | 37篇 |
2000年 | 29篇 |
1999年 | 49篇 |
1998年 | 38篇 |
1997年 | 19篇 |
1996年 | 16篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
排序方式: 共有1089条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
52.
53.
AlGaN/GaN HFET的优化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
薛舫时 《固体电子学研究与进展》2007,27(2):163-169
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了不同掺杂方式下异质结能带和二维电子气的行为。发现掺杂能剪裁异质结能带的弯曲度、控制电子气的二维特性和浓度。在此基础上研究了不同掺杂方式的掺杂效率。通过掺杂和势垒结构的优化设计,得出了用δ掺杂加薄AlN隔离层的结构,既提高了电子气浓度,又保持电子气的强二维特性。从电子气浓度和栅对电子气的控制力度出发,提出了HFET势垒优化设计中的电子气浓度与势垒层厚度乘积规则。依据二维表面态理论,研究了表面态随帽层掺杂结构的变化。从前述乘积规则和表面态变化出发进行了内、外沟道异质结构的优化设计。优化结构既提高了电子气浓度和跨导,降低了欧姆接触电阻,又抑制了电流崩塌。 相似文献
54.
p型氮化镓退火及发光二极管研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长的p型氮化镓(p-GaN)在氮气气氛下的热退火进行研究。用Hall测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能;对一组蓝光LEDs分别进行不同退火温度、退火时间实验,对退火前后量子阱峰值强度半高宽和积分面积变化进行了比较研究。实验表明p-GaN在825°C、8min条件下退火可以取得较高的空穴浓度,而LED在750°C、30min退火可以使量子阱的半高宽展宽较小,积分强度降低百分比小,而且LED芯片正向电压也较小。 相似文献
55.
56.
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力. 相似文献
57.
58.
59.
对SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗,不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明,两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在解析解的基础上运用计算机迭代计算获得,所耗时间较短,故这一结果对于改善器件结构以提高AlGaN/GaN HEMT及其MMIC电路的性能将有较大帮助。 相似文献
60.
模拟计算了光的入射角度与反射率的关系,当光的入射角度大于23°时,发生全反射,无论是否在器件表面生长增透膜,这时的光都无法从器件顶部出射表面提取出来。研究了使用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在已经制备了n电极和p电极的GaN基LED上制备钝化膜,分析了SiON和SiN_x膜沉积对于器件的光输出功率的影响。通过实验证明,在器件上沉积SiON后,光输出功率增加。 相似文献