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101.
电流叠加型CMOS基准电压源 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。 相似文献
102.
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104.
105.
PPTC组件不但提供了自复式的电路保护功能,而且相较于只能使用一次的普通保险丝,它还拥有许多其它的优点。 相似文献
106.
激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析 总被引:2,自引:2,他引:0
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。 相似文献
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108.
2006年4月,永置式压力温度监测系统试验在中原油田采油二厂濮3—282井获得成功,传出了流压和温度数据,相关人员根据传出的数据,计算出了该井的油层压力等油井资料。这标志着中原油田油井实现了实时监测。 相似文献
109.
110.
1 全频段信号电平偏低
引起电平偏低的原因较多,主要有温度变化、放大器工作异常、电缆老化等几种。
(1)温度变化导致电平下降
温度变化导致电平下降有两方面的原因,其一是温度降低使电缆芯线热胀冷缩而接触不良引起电平降低,出现这种情况时低频段的电平比高频段的电平下降快,此故障多发生于冬季,出现这种故障必须重做接头,并紧固接口器件;其二是温度升高使电平下降,根据电缆的温度特性,随着环境温度的升高损耗随之增大, 相似文献