高纯氧化铍陶瓷基片及金属化研究

氧化铍陶瓷原料纯度、杂质含量、煅烧温度、颗粒度分布、成型方法、烧结曲线陶瓷基片十分重要.特别是成瓷后的基片晶粒大于45 μm,直接影响抗折强度、体积密度、金属化抗拉强度(晶粒粗大抗拉强度低于30 MPa),氧化铍陶瓷基片采用轧膜成型,由于轧膜成型具有方向性,坯件中水分含量控制不严(南方坯件容易吸潮),烧成坯件有收缩变化,使基片产生开裂变形及翘曲,对金属化印刷、电镀及键合强度具有不同程度的影响.本文通过原料制备、成型、烧成等工艺进行研究控制,使氧化铍陶瓷基片及金属化的合理性、稳定性得到进一步提高和完善.     

生丝匀度,类节的计算机检测系统

利用光电传感器，数据采集板及计算机等，建立一套生丝匀度与类节的计算机检测系统，并通过与乌斯特匀度仪作对比测试，探讨了系统的可靠性。     

玻璃基片的机械强度

本文研究了三种具有不同厚度和表面缺陷深度的抗压层的化学增强玻璃对用作存储磁盘的基片的适合性。抗压层的厚度由15～40μm 变化到120～160μm。测量了旋转断裂强发和三点弯曲强度并且用维泊尔统计法分析了测试数据。对于具有120～160μm厚抗压层的玻璃获得的维泊尔模量为50,与常规陶瓷的维泊尔模量相比,这是一个极高的值。深度小于20μm的表面缺陷似乎不会降低具有120μm厚抗压层的玻璃的强度,因而这样的玻璃对用作高度可靠的玻璃基片来说应当是合适的。     

氮化铝陶瓷基片制造工艺稳定性研究

本文讨论了影响ＡｌＮ制造工艺稳定性的几个因素。得到一种具有热导率大于１００Ｗ／ｍ．Ｋ，成品率约为８５％的ＡｌＮ基片较为稳定的制造工艺。     

SAWF用钽酸锂晶体表面微观形态的表征

声表面波滤波器(SAWF)的主要特点是设计灵活性大、模拟／数字兼容、群延迟时间偏差和频率选择性优良、输入输出阻抗误差小、传输损耗小、抗电磁干扰性能好、可靠性高、制作的器件体小量轻，适应了现代通讯设备的高频化、数字化、高性能、高可靠性的要求。     

基片温度对氧化钒薄膜结构与电性能的影响

以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜，调节不同的基片温度获得几组薄膜。运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同，薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在基片温度为200℃时所得薄膜的电阻温度系数(TCR)达到-0．03／℃，并发现基片温度越高，薄膜在室温附近的电阻率越低，电阻温度系数绝对值也越小。     

声表面波器件用零温度系数基片材料

SAW器件要求具有低延时温度系数、高机电耦合系数和高传播特性的良好基片材料。迄今为止,还没有一种材料能满足上述要求,为此,人们进行了大量的努力来寻求解决。本文主要叙述具有零温度系数的LST一切石英、双旋转切LiNbO_3、63.6°Y一切LiTaO_3单晶新切型和几种层状结构基片材料的制法和性能。并列举了实验器件的特性。