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51.
微型轴流风扇噪声特性分析及试验研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文对微型轴流风扇噪声的产生机理进行了系统分析及教育处,并进行了实验测试。得出的分析计算结果与实验数据作了比较验证,在声压随观测角度和距离的变化关系上,两者显示出基本一致的趋势。文中以等流量为前提,对降低微型风扇噪声的一种途径作了计算,结果表明采用转轴很细的风扇,可使噪声明显降低(大于3dB)。 相似文献
52.
53.
爆破震动作用下新浇基础混凝土的安全震动速度研究 总被引:4,自引:0,他引:4
针对新浇筑混凝土的爆破震动控制,设法利用爆破地震波(Rayleigh波)作用下的新浇筑基础混凝土受力状态的理论分析和动力有限元计算,确定的新浇筑混凝土中的震动速度及动拉应变分布,并结合不同龄期下新浇筑混凝土的允许极限拉应变,从理论上确定新浇筑基础混凝土的安全震动速度及主要影响因素.理论分析结果和计算实例表明,新浇筑基础混凝土的允许震动速度值随基岩对新浇筑混凝土的基础约束程度的提高和随混凝土强度的降低而降低,我国现行采用的新浇筑大体积混凝土基础面上的质点安全震动速度值具有较大的安全储备. 相似文献
54.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
55.
抽油机减速箱损坏的主要原因之一是减速箱润滑油不足。目前,没有对抽油机减速箱内的油量进行实时监测,减速箱缺油后,抽油机不能立即停机,使减速箱在缺油状态下长期运转,造成齿轮、轴承损坏,甚至报废。为解决这一问题,研制了一种实时报警装置,当油量少于设定的最小值时,可以在现场发出报警信号,并对抽油机采取强制停机措施,起到保护减速箱的作用。 相似文献
56.
文章介绍了在windows2000环境下通过编写WDM(Windows Driver Model)设备驱动程序实现实时数据采集和控制的一种方法。采用研华数据采集卡PCL818L产生中断信号.通过编写WDM驱动程序实现了在windows2000环境下转台的位置控制。并在实验中调试通过。实验结果表明:在采样频率为1KHz的情况下。控制系统很好实现了输出对输入的跟踪,证明了采用方法的正确性。该方法解决了windows2000环境下的实时性问题,为在windows环境下实时控制系统的实现提供了有益的尝试。 相似文献
57.
A stochastic model for local disturbances, particularly for a temporal harmonic with random modulations in amplitude and/or phase, is proposed in this paper. Results for the second moment responses of a linear single-degree-of-freedom system to this type of stochastic loading demonstrate a significant change in response characteristics due to a small uncertainty. A local phenomenon may last much longer and resonance may be smeared to a broad range. Integrated with wavelet transform, the proposed approach may be used to model a random process with non-stationary frequency content. Especially, it can be effectively used for Monte Carlo simulation to generate large size of samples that have similar characteristics in time and frequency domains as a pre-selected mother sample has. The technique has a great potential for the case where uncertainty study is warranted but the available samples are limited. 相似文献
58.
研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。 相似文献
59.
60.