参数控制反问题的求解及其在坝工渗流中的应用

本文分别应用脉冲谱技术和边界元——优化法对参数控制反问题的解法进行了研究,并用这两种方法反演了坝工渗流中的渗透系数.计算实践表明:脉冲谱技术较适用于非均匀性强的情况;而边界元——优化法则适用于不均匀性分布较规则的情况.这两种方法的共同优点是,若应用于坝工渗流、地下水渗流中反演渗透特性参数,所需附加信息量少,无需大面积的钻孔取样工作,可节省大量投资.     

钇铁石榴石薄膜材料的光吸收谱及Bi,Al掺入对谱的影响研究

采用单离子晶场跃迁模型，拟合出钇铁石榴石（ＹＩＧ）薄膜材料的光吸收谱，与实验谱吻合得较好。从实验和理论上分析了（ＢＩＡＩ）ＹＩＧ 薄膜材料的光吸收谱，结果表明，Ａｌ３＋离子的作用如同稀释剂一样，减小了光吸收，Ｂｉ３＋离子由于其强的自旋轨道耦合作用，增大了跃迁振子强度和跃迁线宽，从而增大了光吸收损耗，在此基础上所作的（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ的理论谱与实验谱符合得较好。     

轻便型γ能谱测井仪几个关键技术问题的探讨

为研制性能好，功能强，微机化学程度高的轻便型γ能谱测井仪，针对非油气测井工作的井口径小（〈φ６０ｍｍ）井身浅（〈１０００ｍ）等特点，探讨了γ能谱测井仪的轻便化，测量精度，信号传输技术，稳谱技术及微机化等关键技术问题。     

电化学激光拉曼测量系统的建立

采用ＩＥＥＥ－４８８ＧＰＩＢ总线接口连接技术，将现有ＥＧ＆ＧＰＡＲＣ公司的电化学测量系统和ＥＧ＆ＧＤＩＬＯＲ公司的激光拉曼谱仪组合起来，建立了电化学激光拉曼测量系统，并实现了电化学体系下激光拉曼诺的测量。     

出现电势谱元素灵敏度的比较测定

对一些元素的出现电势谱（ＡＰＳ）进行了比较测定，给出了８种元素的ＡＰＳ相对灵敏度因子，那些具有罗高空态密度的元素，如镧系元素、铜系元素和３ｄ过渡金属中的大部分，其ＡＰＳ灵敏度较大。     

用核磁共振谱对家蚕丝素水合作用的研究

我们进行了用~(13)CNMR谱确定家蚕丝素非晶区结构特征和水合作用对丝素结构影响的一些研究。首先,用~(13)C溶液NMR谱对丝素经糜蛋白酶水解后可溶部分(非晶区)进行了结构分析。在非晶区中,即Cs部分,根据谱(峰)的pH滴定结果,C端氨基酸剩基确定为乙-酪,同样,N端确定为乙-丝。其次,为了确定是什么部分、什么氨基酸剩基基团与吸附的水间产生相互作用,     

In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

非晶硅基薄膜的等离子体刻蚀光发射谱检测

本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。