二氧化锡导电玻璃基片生产项目花落漳州

福建漳州网消息，新研发的以导电玻璃基片为衬底材料的太阳能电池，其硅体厚度只有传统晶体硅太阳能电池的百分之一，但两者的能效却是相近的。由我市对接的二氧化锡导电玻璃基片生产项目，其产品将填补国内同类产品空白。     

Sol—Gel法制备ZrO2—SnO2薄膜的常温气敏机理

根据Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备的ＺｒＯ２－ＳｎＯ２薄膜的气敏性能数据，提出了常温下ＳｎＯ２（ＺｒＯ２）薄膜对Ｈ２Ｓ的气敏机理模型。根据此模型所得定量分析结果与实验结果一致。     

SnO_2厚膜与基板附着强度及气敏性能研究

通过溶胶-凝胶法制备了SnO2纳米粉末,用丝网印刷法制备了以氧化铝陶瓷为基板的SnO2厚膜。分别采用SEM、XRD及电化学工作站表征了SnO2的结构与形貌并测试了其气敏性能。结果表明,所制备的SnO2平均颗粒粒径约为60 nm,为四方相结构。与SnO2直接附着在氧化铝基板的厚膜(样品A)相比,以玻璃粉作为SnO2和氧化铝基板粘结剂的厚膜(样品B)附着强度更高,解决了SnO2与氧化铝基板附着强度差的问题;以玻璃粉为粘结剂制备的厚膜对H2具有稳定的气敏性能。     

粉末靶磁控溅射制备F掺杂SnO2薄膜的结构及光学性能

采用粉末靶射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备氟掺杂二氧化锡(FTO)薄膜。结果表明:制备的样品为多晶薄膜,具有二氧化锡的四方金红石结构。沉积气氛的含氧量增加,会使薄膜的主要择优取向由(211)转变成(110)。除沉积气氛中无氧的超厚薄膜外,其他FTO可见光区平均透光率可达90%。     

SnO2纳米粒子的制备与降解甲醛效果研究

采用了一种新颖而有效的方法制备SnO2纳米粒子：利用氩弧焊电弧形成的高温将反应台上的锡蒸发,在装置的另一端通过高压直流电场收集锡粒子,制得纳米级锡粒子,然后在空气气氛下将纳米锡粒子在800℃～90℃范围内进行热处理,最终得到SnO2纳米粒子。制得的SnO2纳米粒子粒径在50nm左右,且杂质较少。将制得的SnO2纳米粒子...     

改性纳米二氧化锡的摩擦学性能

考察了用油酸钠改性的纳米二氧化锡的摩擦学性能,结果表明,改性纳米二氧化锡能够提高基础油的抗磨减摩性能.     

电场对二氧化锡纳米薄膜电性质 和气敏性质的影响

本文研究了用直流气体放电活化的反应蒸发制备的二化锡纳米薄膜的表面性质、电学性质以及气敏性质，重点研究正反向电场对其电学性质和气敏性质的影响，从理论上探讨了它的气敏机理。     

纳米锑掺杂氧化锡导电粉体的快速制备及表征

纳米锑掺杂氧化锡(ATO)以其灵敏度高、色浅透明、耐高温耐腐蚀、机械稳定性好等特点在气敏元件、导电抗静电领域、催化领域等得到了广泛的应用.本实验在共沉淀法的基础上采用特殊的组合添加剂,前驱体不需要干燥直接煅烧20 min就可以得到各项性能良好的ATO粉体,采用粒度分析仪、X衍射仪(XRD)、红外光谱仪、透射电镜(TEM)、微欧测量计等对最终粉体的性能进行了表征.结果表明:相比传统共沉淀法,该法具有快速、高效的特点,在合适添加剂作用下所制备的纳米ATO粉体一次粒径为55 nm,体积电阻率为75.93Ω.cm,晶化完整,纯度高.     

凝胶水热法制备纳米二氧化锡

以SnCl4·5H2O为原料,用溶胶凝胶法制备纯净的凝胶;应用水热脱水法,制备粒度均匀的纳米二氧化锡。研究反应压力以及添加表面活性剂等因素对SnO2的微晶形成、粒子大小、分散性能的影响。通过X射线、透射电镜检测,粒子的平均尺寸在3～8nm之间。     

锡粒氧化–水热法合成纳米二氧化锡

采用锡粒氧化–水热法,合成了纳米二氧化锡粉体,并用FT-IR,XRD,TEM和DTA等测试手段,对其结构和形貌进行了表征。研究了反应温度、时间、介质及压力对粉体粒度、形貌的影响。结果表明,在180℃水热反应12h,可以得到粒径为4~10nm具有四方相锡石型的二氧化锡粉体;以无水乙醇为反应介质时粒子间的团聚程度明显降低;增大反应压力,颗粒间的团聚程度减小。