含氧等离子体对低温CVD沉积SiO2钝化性能的改善

对InSb探测器芯片的退化机理进行讨论 ,提出了SiO2 钝化膜中悬键形成的一种新模式 ;为进一步减少界面陷阱及界面态 ,采用含氧原子的等离子体来处理芯片 ,取得了良好效果 ,含氧等离子气氛由N2 O气体高频电离获得。处理后的InSb探测器芯片I V特性明显好转 ;Au/Cr SiO2 InSbMIS结构的C V曲线下降坡明显变陡 ,曲线回滞明显变小 ;红外吸收谱表明SiO2 钝化膜中 H键及 OH键的数量明显减少。     

锑化铟单晶材料研究进展

锑化铟(InSb)材料因其特殊性质,是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。本文总结了InSb材料的需求现状以及国内外主流InSb材料厂商的研究进展,重点介绍了中国电子科技集团公司第十一研究所在InSb材料方面的最新研究进展。最后,本文提出了InSb材料未来发展趋势。     

快速热退火对锑化铟表层化学配比的影响

锑化铟是一种窄禁带化合物半导体。近几年,它作为3～5μm红外探测器阵列的一种材料受到广泛的重视。为了制备高质量的锑化铟PN结光电二极管,铍注入与快速热退火(RTA)技术相结合是一种最佳的选择。本文借助俄歇电子能谱(AES)对在快速退火条件下锑化铟表层化学配比的偏离进行了系统的研究。     

昆明物理所锑化铟红外材料、器件研究进展

简要报道昆明物理研究所锑化铟体晶材料、弹用锑化铟红外探测器组件和320×256锑化铟焦平面器件的最新进展.     

基于高温热处理的InSb晶片性能研究

近年来,为了满足新一代百万像元、高集成度、高性能红外焦平面探测器的发展需求,人们对高晶格质量、高表面状态InSb晶片的要求越来越高。为了提高用生长态晶体加工的InSb晶片的性能,对晶片高温热处理进行了研究。通过采用特殊设计的晶片承载装置并结合相应的晶片热处理配合方法,优化了晶体生长态遗传的固有缺陷以及由晶片加工过程引入的加工缺陷;改善了InSb晶片的化学计量比,释放了晶片内部的残余应力;提高了晶格质量,优化了晶片整片的平面度,最终提高了InSb晶片的整体质量,为制备高性能大规格红外焦平面探测器奠定了材料基础。     

InSb 磁敏电位器研制

常用的触点式电位器存在着分辨力低、噪声大、寿命短等缺点 ! 如果改用磁敏电位器, 则 可全面改善, 并且在调节输出电压时, 可进行无反转的操作! 如若把它应用于电动阀门检测, 拾音器针压控制、伺服电流反馈、摄像机光阑自动控制、磁带引力控制、注入机油压控制、风 向计方位检测、液体流量控制等方面, 也不失为一种具有发展前途的新型传感器