非量子限条件下P型InSbMOS结构反型层中子能带实验研究

在100K条件下测量了p型InSb MOS器件的变频电容-电压(C-V)谱,在反型区观察到第二子带填充电子的台阶效应,还发现一个位于导带中的共振缺陷态.采用非量子限多带C-V拟合模型获得了子能带结构.     

优质锑化铟晶体和探测器组件

本文介绍采用（２１１）方向生长的ＩｎＳｂ晶体，在均匀性方面有明显的改善，用此晶体制造的３～５μｍ光伏探测器组件，有优越的性能，该产品已提供用户使用８年之久，性能一直保持稳定。     

在含有InSb非晶过渡层的GaAs衬底上用分子束外延生长InSb薄膜

在（１００）取向半绝缘ＧａＡｓ衬底上，采用独特的含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步分子束外延（ＭＢＥ）生长了异质外延ＩｎＳｂ薄膜。ＩｎＳｂ外延层表面为平滑镜面，外延层厚度约为６μｍ，导电类型为ｎ型，室温（３００Ｋ）和液氮（７７Ｋ）霍尔载流子浓度分别为ｎ＿（３００Ｋ）：２．０×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）和ｎ＿（７７Ｋ）：２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）；电子迁移率分别为μ＿（３００Ｋ）：４１０００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ＿（－１）和μ＿（７７Ｋ）：５１２００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ￣（－１）。ＩｎＳｂ外延层双晶衍射半峰宽为１９８ａｒｃｓ，最好的ＩｎＳｂ外延层的半峰宽小于１５０ａｒｃｓ。采用ＩｎＳｂ非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度，改善了ＩｎＳｂ外延层的质量。     

InSb／GaAs界面的高分辨电镜研究

InSb因具有高的迁移率,长的电子平均自由程及窄的带隙而受到重视。如能在与它有大错配度的GaAs衬底上外延生长出缺陷少的高质量薄膜,可望在光电器件上得到应用。在GaAs(001)面上长出同取向的InSb,其错配度高达14.6%,只能进行半共格生长。分子束外延法已能成功地制备出高质量的InSb膜,其中缺陷随膜厚增加而明显减少。图1a是半导体所用分子束外延法在GaAs衬底上长出的InSb膜沿〈110〉取向的复合电子衍射图。一对斑     

高探测率(>1×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1))InAsSb应变层超晶格红外光伏探测器

利用InAs_(0.15)Sb_(0.85)/InSb应变层超晶格(SLS)制造了一种高探测率的红外光电二极管。经表面钝化的器件在波长小于等于10μm时探测率大于等于1×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1)。这种器件证明了在InAsSb应变层超晶格基础上制造长波红外光伏探测器的可行性。     

锑化铟磁敏电位器芯片的研制

本文主要论迷锑化铟(InSb)磁敏电位器芯片研制的理论依据和影响因素,简要提及国內外研制情况。重点报导磁敏电位器关键部件——InSb磁敏器件芯片的版图设计,工艺流程和性能测试。用该工艺制备的芯片装配的电位器用于整机(FX-102型心电图机)效果良好,性能参数国内领先、此外,对完善工艺和提高成品率也作了讨论。     

InSb非线性F-P标准具的室温光学双稳性和不稳定性

用TEA CO_2激光器输出的脉宽为100ns(FWHM),波长为10.6μm的激光脉冲,在室温下入射InSb F-P标准具,得到了双光子机制的光学双稳性。从非线性F-P标准具理论出发,对上述过程进行了计算机模拟。在相似条件下,改用高斯光束入射,发现由此形成的自散焦效应,使输出产生明显不稳定。