全文获取类型
收费全文 | 1587篇 |
免费 | 103篇 |
国内免费 | 437篇 |
专业分类
电工技术 | 10篇 |
综合类 | 180篇 |
化学工业 | 40篇 |
金属工艺 | 783篇 |
机械仪表 | 97篇 |
建筑科学 | 27篇 |
矿业工程 | 17篇 |
能源动力 | 8篇 |
轻工业 | 10篇 |
水利工程 | 6篇 |
石油天然气 | 11篇 |
武器工业 | 45篇 |
无线电 | 319篇 |
一般工业技术 | 336篇 |
冶金工业 | 187篇 |
原子能技术 | 42篇 |
自动化技术 | 9篇 |
出版年
2024年 | 11篇 |
2023年 | 72篇 |
2022年 | 71篇 |
2021年 | 73篇 |
2020年 | 44篇 |
2019年 | 68篇 |
2018年 | 41篇 |
2017年 | 39篇 |
2016年 | 34篇 |
2015年 | 53篇 |
2014年 | 102篇 |
2013年 | 62篇 |
2012年 | 78篇 |
2011年 | 62篇 |
2010年 | 67篇 |
2009年 | 78篇 |
2008年 | 91篇 |
2007年 | 95篇 |
2006年 | 84篇 |
2005年 | 85篇 |
2004年 | 77篇 |
2003年 | 49篇 |
2002年 | 55篇 |
2001年 | 50篇 |
2000年 | 46篇 |
1999年 | 52篇 |
1998年 | 67篇 |
1997年 | 53篇 |
1996年 | 54篇 |
1995年 | 59篇 |
1994年 | 30篇 |
1993年 | 33篇 |
1992年 | 53篇 |
1991年 | 33篇 |
1990年 | 49篇 |
1989年 | 35篇 |
1988年 | 16篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 3篇 |
1983年 | 1篇 |
排序方式: 共有2127条查询结果,搜索用时 31 毫秒
31.
二元稀土镁合金Mg-La和Mg-Nd的组织和性能 总被引:6,自引:0,他引:6
系统研究了二元稀土镁合金Mg-2%La(L2)和Mg-2%Nd(N2)的铸态显微组织、拉伸性能和抗蠕变性能.通过研究发现,L2铸态组织中有大量网状的Mg-Mg17La2的共晶相析出;而N2则以Mg12Nd离异共晶析出,析出物的数量少得多.N2合金在室温或者175℃条件下,强度和塑性都优于L2合金.N2合金的抗蠕变性能在175℃、70 MPa条件下比L2低近3个数量级.通过计算两种合金的应力指数和蠕变激活能,L2合金的蠕变机制是受晶界滑动控制的,而N2合金为位错攀移机制控制. 相似文献
32.
The microstructural evolution and element distribution of the Al-4Cu-Mg alloy during semi-solid compression were investigated,and the precipitate behavior and dislocation morphology were discussed.The experimental results show that the microstructure,the number of CuAl2(θ phase) precipitates,and the dislocation density of the Al-4Cu-Mg alloy depend apparently on the process parameters.More segregation of Cu at the grain boundary happens with an increase of deformation temperature and a decrease of strain ra... 相似文献
33.
为了解材料纯洁度对FeMn合金阻尼性能的影响,采用倒扭摆测试两种杂质含量不同的FeMn合金的阻尼性能,XRD测试合金的层错几率和ε马氏体体积分数,采用OLYMPUS金相显微镜观察合金的微观组织。结果表明,两种合金的阻尼性能都随应变振幅的增加而呈线性增加;杂质含量对FeMn合金阻尼性能影响较大,杂质含量为0.722%的2#合金与杂质含量为0.235%的1#合金相比,在应变振幅为4.5×10-4时其对数衰减率降低了近20%。这是由于杂质元素含量越多,Shockley不全位错上的弱钉扎点就越多,脱钉运动的阻碍就越大,合金阻尼性能也就越低。 相似文献
34.
陶瓷材料延性域去除临界条件新研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文是在对磨削过程的应力特征、微裂纹形成及扩展和材料去除机理研究的基础上,针对微裂纹扩展的稳定性条件进行研究。研究中,将宏观断裂力学及微观断裂物理相结合,根据位错产生微裂纹机制,对磨削过程的微裂纹的形成采用位错赛积模型来描述。并从能量平衡的角度,讨论位错裂纹的稳定性及临界裂纹尺寸。 相似文献
35.
沉积温度对ZnO薄膜结构及发光性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用Nd-YAG激光器(波长为1064nm,频率为10Hz)做光源,采用纯金属锌靶,以Si(111)为基体在有氧的气氛中通过激光烧蚀锌靶表面来制备氧化锌薄膜,研究基体温度对ZnO薄膜结构及发光性能的影响.通过XRD和AFM原子力显微镜来表征氧化锌薄膜的结构和表面形貌,其光学性质由光致发光谱来表征.结果表明:在450-550 ℃的条件下沉积的ZnO薄膜具有c-轴择优取向,500℃时c-轴取向最明显.具有c-轴取向的ZnO薄膜具有强的紫外光发射和弱的绿光发射,发光中心在518nm处的黄绿光发射主要归因于电子从导带底部到氧位错缺陷OZn能级之间的跃迁. 相似文献
36.
Al2O3/Cu复合材料强化机理研究 总被引:4,自引:1,他引:4
采用内氧化法制备了Al2O3/Cu复合材料,进行了高温电子拉伸实验,并通过微观组织观察,分析了该复合材料的强化机理。拉伸实验结果显示:Al2O3/Cu复合材料不仅室温强度很高,而且高温时仍保持较高的强度。微观组织观察分析表明:细小的Al2O3颗粒的弥散分布是该复合材料具有高强度的主要原因,表现在:Al2O3颗粒存在能够抑制Cu基再结晶的进行;Al2O3颗粒的存在阻碍晶界亚晶界运动,从而阻碍晶粒长大;Al2O3颗粒的阻碍位错运动,增加位错密度;Al2O3颗粒的存在提高材料的蠕变抗力。 相似文献
37.
中碳钢过冷奥氏体形变过程中碳的分布与扩散 总被引:3,自引:0,他引:3
利用热模拟压缩变形实验以及SEM、XRD和热磁法,研究了中碳钢过冷奥氏体变形时组织演变过程中碳原子的分布与扩散.结果表明,动态相变过程中碳的有效扩散系数与等温过程相比明显增大,相变完成时间显著缩短.在随后的片层状珠光体的球化过程中,相界以及形变过程中产生的高密度位错和空位等缺陷促进了间隙碳原子的扩散,使得球化动力学过程与等温退火相比显著缩短.渗碳体的溶解和铁素体中碳的过饱和现象得到证实,其中过饱和碳原子高度聚集在铁素体晶界和位错核心处,而不是均匀地分布在铁素体点阵的间隙位置. 相似文献
38.
The creep behavior of directionally solidified (DS) superalloy IC 10 was investigated under 192 MPa and 218 MPa at 980 ℃. Under the testing conditions, the marked creep characteristic of the superalloy is that the creep curve has a short primary and secondary stage and a long tertiary stage. Another creep characteristic is that the superalloy has excellent plasticity at high temperature. To study the creep behavior, the microstructure was observed by SEM and TEM. Different from other microstructure of Ni-base superalloys, superalloy IC10 forms incompletely rafted γ' phase during the creep processes. To understand the creep deformation mechanism of superalloy IC10, the movement of dislocations was analyzed. The results show that the dislocations moving in the γ matrix and climbing over the γ' precipitates is the main deformation mechanism under the experimental conditions. 相似文献
39.
急冷Cu—Cr—0.05Zr合金强化机理探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
用SEM与TEM考察了急冷Cu-Cr-0.05Zr合金中的晶体缺陷,结果表明,急冷Cu-Cr-0.05Zr合金中的高密度位错与高浓度空位是合金强化的重要因素,固溶铬含量提高,导致形成空位集团,蜷线位错及扩展位错是强化效应进一步提高的另一重要因素。 相似文献
40.