VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

毫米波三维异质异构集成技术的进展与应用

三维异质异构集成技术是实现电子信息系统向着微型化、高效能、高整合、低功耗及低成本方向发展的最重要方法,也是决定信息化平台中微电子和微纳系统领域未来发展的一项核心高技术。文章详细介绍了毫米波频段三维异质异构集成技术的优势、近年来的发展趋势以及面临的挑战。利用硅基MEMS 光敏复合薄膜多层布线工艺可实现异质芯片的低损耗互连,同时三维集成高性能封装滤波器、高辐射效率封装天线等无源元件,还能很好地处理布线间的电磁兼容和芯片间的屏蔽问题。最后介绍了一款新型毫米波三维异质异构集成雷达及其在远距离生命体征探测方面的应用。     

生物氧化预处理中进气量实时预测数学模型研究

精准预测生物氧化预处理中的进气量对提高黄金提取率和节能降耗具有重要意义。以气体管流连续性方程和运动方程为控制方程，采用Preissmann隐格式法作为差分方法。同时，根据集合卡尔曼滤波(Ensemble Kalman filter，EnKF)算法原理，构造进气量、压强的状态空间模型。结果表明，基于气体管流控制方程建立的进气量模型预测结果与实际进气量观测值具有较好的一致性；与传统静态预测方法相比，EnKF同化方法引入实时观测值和模型参数的更新，有效提高了进气量的预测精度，其平均绝对误差、平均相对误差和均方根误差有明显的降低。可见，基于气体管流控制方程建立的预测模型结合EnKF同化方法是提高生物氧化槽进气量预测精度的有效手段。     

高比例配加烧结用FMG矿的研究

利用基于Microsoft-Excel的铁前优化程序对市场上的矿粉进行了系统的性价比比较,确定了烧结矿中高比例添加FMG矿的方案。采用全自动熔点测定仪、差热-热重分析仪、矿相显微镜等对FMG矿的矿物组成、熔点、同化性能、热重性能等进行了详细地分析,并通过配比试验研究了FMG矿对烧结矿质量及性能的影响。结果认为,FMG矿的熔点较低,仅1 473℃;矿物以褐铁矿为主,结构致密、晶格缺陷少;同化性能好,有利于烧结过程中液相粘结相的生成;吸水性较好,有利于提高烧结混合料的水分含量;烧结料中FMG矿的最高配比可达47%以上。通过对河钢石钢烧结大比例地添加FMG矿,可达到满意的结构优化效果,有利于降低铁前成本。     

异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

国外异质结双极晶体管的发展

随着微波半导体技术的发展，近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展，包括ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ，ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ，ＧｅＳｉ等开发现状和性能参数达到的水平。     

“共振隧穿二极管与光敏异质结双板型晶体管的光电集成”项目通过市教委验收

由我校信息与通信工程学院副院长牛萍娟副教授承担的天津市高校科技发展基金项目“共振隧穿二极管与光敏异质结双板型晶体管的光电集成”于2005年8月2日通过了市教委组织的专家验收．     

Graded Heterojunction of AIGalnP High-brightness Light Emitting Diodes

A simple model of the graded heterojunction in AIGalnP compound semiconductors was introduced to analyze the band profile. The band profiles are analyzed with the different grading ways but the same grading length and under the different doping densities. The effect of the different grading lengths on the surplus of the potential of the spike to the potential of N region are also analyzed under the different doping densities. Through the experiments, it proves that the performances of high brightness light emitting diodes can be improved by the effects of the graded heterojunction.