Luminescent Properties of Nanometer Si with Embedded Structure

Blue luminescence at about 431nm is obtained from epitaxial silicon after C^ implantation,annealing in hydrogen ambience and chemical etching sequentially. When annealed in nitrogen ambience and etched accordingly, there is a much narrower peak at about 430nm. During C^ implantation,C=O compounds are introduced into and embedded in the surface of nanometer Si formed during annealing,at last, nanometer silicon with embedded structure is formed,which contributes to the blue emission.     

纳米通信技术的核心-纳米光电器代件

概述了纳米技术在光电子领域的应用,并着重介绍了国内外纳米光通信用纳米光电子器件的发展现状.     

纳米加工和纳米电子器件

介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。     

洪茂椿院士主持的光功能纳米陶瓷材料研究达国际先进水平

中国科学院福建物构所洪茂椿院士主持的国家科技攻关计划“光功能纳米陶瓷材料研究”项目目前通过成果鉴定。该项目整体达到了国际先进水平，部分材料的发光量子效率和发光寿命等性能指标达到国际领先水平。     

硫酸锆、碳酸锆的性质、应用及生产技术综述

综述了硫酸锆，碳酸锆产品的性质，生产技术及应用，收集整理了国内外部分厂家和公司该产品的化学指标与生产技术；介绍了“分步液相沉淀法”生产工艺，与“一步法”生产工艺相比，其具有流程短，投入少，操作简单，制造成本低等优点。     

纳米晶合金中缺陷总体变化的多普勒湮没能谱初步研究

用正电子湮没多普勒展宽能谱测量和分析了若干急冷淬火制备的薄带，表明软磁Fe基纳米晶合金中的缺陷（自由体积）远多（大）于其晶化前的非晶态；能够晶化成纳米晶的Fe基非晶制备态材料中的缺陷也多（大）于类似成分但又不能晶化成纳米晶的非晶态材料中的缺陷；Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5b9.0合金的急冷淬火制备态在热处理过程中，低温退火时缺陷减少，高于200℃的退火导致缺陷增加，纳米晶化后的进一步退火缺陷基本不增加；Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金纳米晶化后，在所选定的测量条件下没有发现正电子湮滑参数时间，温度的变化，说明该材料缺陷结构相当稳定。     

Al2O3—C—Zr02质复合滑板的研制与生产

针对普通铝碳质滑板强度低，耐侵蚀性能差，抗热震能力差等缺点，从材质、微粉加入物、生产工艺等方面进行了试验研究，在普通铝碳质滑板基础上研制了性能优良的铝碳锆质复合滑板，满足了攀钢连铸160t钢包连滑3次的使用要求。     

从战略高科技角度看纳米包装的产业化

微米技术的出现带来了改革世界的数次工业革命，第一次工业革命带来了蒸汽机，拖拉机等，第二次工业革命造就了电力时代，第三次工业革命是计算机信息时代。有人预言，未来的任何一次工业革命都将与纳米技术有着密切的联系，它将给人类带来更方便，更美好的新生活。     

开尔的执着——访合肥开尔纳米技术发展有限责任公司董事长张芬红

当初满怀豪情，打算在纳米产品的战场上打一场漂亮仗的张芬红，根本就没有预测到，这场原本看来胜券在握的“纳米”战役会进行地如此波折。对于一个从深陷困境发展到今天生机勃勃的纳米高科技公司，9年来，正是对纳米执着的追求，支撑着开尔走过了从创业到守业的成长历程。