Cu基合金冷热循环的正电子湮没研究

通过淬火态Cu-23at.%Zn-10at.%Al合金冷热循环后避免热弹马氏体稳定化及循环初期正电子湮没参数大幅度减少的对比实验，表明稳定化的主导原因是空位及其运动更为合适。     

新型弹性合金研究

阐述了铍青铜弹性合金的发展和应用,讨论了它的优点和缺点所在.同时,讨论了新型弹性合金如Cu-Ni-Sn合金的发展状况,阐述了Cu-Ni-Sn合金的制备工艺和组织性能,最后讨论了新型Cu-Ni-Sn合金的研究发展方向.     

正电子寿命谱仪探测器的输出影响因素和选择

本文研究了正电子湮没寿命谱仪探测器的输出影响因素。两个最重要的影响因素是光电倍增管和ＢａＦ２晶体之间的光学耦合以及光电倍增管上所加的高压，我所正电子湮没寿命谱仪探测器所使用的高压选择为２．４５ｋＶ，２．５７ｋＶ，两个探测器的输出电压是１．８Ｖ。     

淬火CuZnAl合金的正电子湮没寿命谱

本文分析了９００℃、７５０℃和７００℃淬火后Ｃｕ－２３ａｔ．％Ｚｎ－１０ａｔ．％Ａｌ合金试样的正电子湮没寿命谱，其中长寿命τ２始终维持在１８５ｐｓ左右的数值，表明该合金淬火后保留有大量的单空位，母相态下尽快消除这些空位有助于避免和改善铜基形状记忆合金的热弹马氏体稳定化现象。     

一种纳米晶合金中缺陷特征的正电子湮没寿命谱研究

用正电子湮没寿命谱仪测量和分析了Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金，该合金纳米晶化后有两类组织结构：一类是非晶结构，另一类是纳米晶结构；从缺陷形式上讲也有两种，一种是类空位，另一种是含有十来个单空位的空位团。类空位缺陷位于非晶区，空位团位于纳米晶区和晶粒的界面。Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金在非晶态时原子高密度区域与原子低密度稀释区域的分数之比约为1．44：l；纳米晶化后，经过480℃、500℃、540℃、580℃热处理，其类空位与空位团浓度的分数之比约为0．7：1。     

用正电子湮没技术研究微量铝对铁基非晶态合金的影响

用正电子湮没技术研究了七种铁基非晶态合金，结果表明铝含量高的合金的正电子湮没参数大于铝含量低的合金，意味着铝的存在会造成铁基非晶态合金微观结构的不均匀性，很可能是较多的类空位缺陷出现。     

纳米晶合金中缺陷总体变化的多普勒湮没能谱初步研究

用正电子湮没多普勒展宽能谱测量和分析了若干急冷淬火制备的薄带，表明软磁Fe基纳米晶合金中的缺陷（自由体积）远多（大）于其晶化前的非晶态；能够晶化成纳米晶的Fe基非晶制备态材料中的缺陷也多（大）于类似成分但又不能晶化成纳米晶的非晶态材料中的缺陷；Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5b9.0合金的急冷淬火制备态在热处理过程中，低温退火时缺陷减少，高于200℃的退火导致缺陷增加，纳米晶化后的进一步退火缺陷基本不增加；Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金纳米晶化后，在所选定的测量条件下没有发现正电子湮滑参数时间，温度的变化，说明该材料缺陷结构相当稳定。     

TiNi合金可逆记忆效应的正电子湮没研究

用正电子漂没Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽能谱仪测量了若干具朋可逆形状记忆效应的Ｔｉ－５１．０ａｔ．％Ｎｉ合金试样。发现：凡可逆形状记忆效应好的试样都含有结构缺陷，这一点与文献报道的一致；但是；并不是所有包含结构缺陷的试样都能给出好的可逆形状记忆效应；要获得好的可逆形状记忆效应，试样中的结构缺陷在密度上必须适量，不多不少，数量太多或太少的试样都不能产生好的记忆性能。     

TiNi记忆合金中缺陷作用的正电子湮没研究

针对ＴｉＮｉ形状记忆合金研究中所遇到的一些带有普遍性的实际技术问题,本文用正电子湮没方法系统地测量了不同成分和不同状态的试样,分析了合金中的缺陷及其对宏观性能变化的贡献,提供了传统技术所难以和不能提供的信息。