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用矩阵光学理论计算了由主振荡器和功率放大器组成的种子注入光腔。主振荡器光腔是由曲率半径R1=-250mm,R2=5000mm,相距L=2375mm的球面镜组成的正支非稳腔;功率非稳腔是由曲率半径R3=400mm,R4=5600mm,相距S=3000mm的球面镜构成的负支非稳腔。理论计算表明,该种子注入光腔可输出光束发散角约几十微弧的激光,可满足铜蒸气激光器主振荡器功率放大器(MOPA)的技术要求。 相似文献
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VCSEL的发展现状和市场应用 总被引:1,自引:0,他引:1
近年来由于高速光网络的快速发展,使人们对一种新型的半导体激光器——垂直腔面发射激光器(VCSEL)给予了更多的关注,已成为研究开发的热点。本介绍了VCSEL的发展进程、基本结构及较之于侧面发射激光器(包括与LED作比较)的优势,以及近期出现的新技术和封装手段,详细叙述了各波段VCSEL所用的材料、技术、市场应用。最后简述了VCSEL基光收发机的市场状况。 相似文献
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本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理,阐述了其I-V特性中的负阻现象。简单介绍了MIM结构负阻的几种解释,根据热像仪照片和低温测试结果分析,再结合Dearmaley导电模型,我们提出了MIM负阻的物理模型,理论与实验符合较好,最后分析了负阻现象的应用前景。 相似文献
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本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术.该技术包括利用PECVD法在腐蚀硅片背面沉积400~800nm厚的非晶硅膜,再经过650~680℃温度的热处理,使沉积膜与硅片结合更牢固,之后,把硅片进行抛光.结果表明,该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷,同时硅片表面层少子寿命可提高2~4倍. 相似文献
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我们考虑一个带球面镜的均匀展宽的环形激光器,从理论上求得了“优质腔”的失稳条件.分析中使用了平均场近似,并假定费涅耳数远大于1,原子和腔完全调谐. 相似文献