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1.
2.5Gb/s光纤通信用0.35μm CMOS芯片设计成功   总被引:2,自引:1,他引:1  
随着计算机的迅速普及, 互联网的大规模建设, 多媒体通信和因特网的爆炸性扩展, 数据通信技术的开发和信息高速公路的建设变的日益迫切,而信息高速公路建设的关键在于光纤通信技术的开发和应用.  相似文献   
2.
给出了InGaAsMSM光探测器与InP基InAlAs/InGaAs HEMT两种器件单片集成实现的OEIC光接收机的设计方法与测试结果。该光接收机采用单电源供电,由一级放大器,两级源级跟随器和一个反馈电阻组成,当光接收机工作在2.5Gbit/s时,跨阻可达53dBΩ,采用+5V电源供电,功耗仅为160mW,可有效地应用在光纤通信接收系统中。  相似文献   
3.
描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性.采用该方法制作的光发射单片直流功耗为120mW,在码长223-1传输速率1.5Gb/s伪随机码信号调制下有清晰的眼图,光输出功率为2dBm.  相似文献   
4.
研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.  相似文献   
5.
2.5Gbit/s CMOS光接收机限幅放大器   总被引:3,自引:0,他引:3  
给出了一个利用0.35μmCMOS工艺实现的2.5Gb/s限幅放大器.在标准的5V电源电压,功耗为225mW.在40dB的输入动态范围内,可以保持400mVp-p恒定输出摆幅.整个芯片面积为1×1.1mm2.  相似文献   
6.
首先介绍了光纤传输系统SDH,以及构成SDH收发机的各个功能模块,然后分析了其中的激光二极管驱动器芯片的设计方法。在此基础上设计出了采用标准0.35μm CMOS工艺的工作速率高达2.5Gb/s的驱动器芯片。  相似文献   
7.
描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性.采用该方法制作的光发射单片直流功耗为120mW,在码长223-1传输速率1.5Gb/s伪随机码信号调制下有清晰的眼图,光输出功率为2dBm.  相似文献   
8.
采用一种新的基于InP材料在[0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术,设计并制作了带有1.55μm多量子阱激光器和InP/InGaAs 异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路.在1.5Gbit/s 223-1伪随机码调制下器件有张开的眼图,光输出功率为2dBm,芯片功耗约120mW.  相似文献   
9.
长期以来,电路理论中对交流电路的功率分析,定义复功率P=UI,存在某些不理想之处。本文提出了直接对应于功率瞬时表达式的复功率(复全功率、复有功功率及复无功功率),使之与电压、电流瞬时表达式及其复数形式间的关系一致。这样,在交流电路的分析中,电压、电流及电功率的分析计算在运用复数这一方法上便可完全统一起来。原先带有某些虚拟性的无功功率也落到了实处。1993年第2期本刊发表了刘立中同志《对视在功率和无功功率的新看法》一文,读后有所启发,因而写成本文。该文对一般理论电工学中提出的视在功率和无功功率,在定义上似有误解之处。文中对它们提出的新看法,也未作出比较明确的物理解释。例如,该文提出“视在功率瞬时值是全功率P_t周期波的正弦分量”,“所谓无功功率,只不过是特殊(?)的视在功率”(意指纯电阻、电感或电容支路的视在功率)。“S_L和Q_L两者绝对值相等但相位不同”等。文中也都缺乏必要的论证。本文不打算针对这些问题进行讨论,而是在该文的启发下,提出自己对复功率、有功功率及无功功率等一些新的看法,并给出新的定义与新的数学表达式,希望与对此有兴趣的同志共同探讨。  相似文献   
10.
本人在《电工教学》第15卷第3期上《对复功率的论证》一文中,提出了建立在瞬时功率基础上的有功功率、无功功率瞬时表达式以及它们的复数表达的新定义。该文的主要内容为:  相似文献   
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