非均匀应变场中光纤布拉格光栅的数值分析

当非均匀应变场作用在光纤布拉格光栅（FBG）上时，由于FBG周期和有效折射率在沿FBG长度方向都为变量，所以会导致光谱形状的变化。采用耦合模理论和龙格库塔的方法可以准确地分析非均匀应变场中的FBG光谱特性，其缺点是收敛速度慢；而传输矩阵法虽然可以大大提高收敛速度，但是由于忽略了非均匀应变场的变化梯度，在分析变化率较大的非均匀应变场时与龙格-库塔方法相比准确度较差，通过改进适用于分析非均匀应变场的FBG等效周期，既保留了传输矩阵分析FBG的快速收敛性，又保证了分析准确性。     

FBG传感器在隧道管片结构中的应用

简要介绍了FBG(光纤布拉格光栅)传感器的性能特点和基本工作原理.将FBG传感器应用于地铁隧道混凝土管片的结构力学性能试验中,通过大型压力试验机的分级加载,把粘贴在混凝土管片表面相同部位的FBG传感器和传统电阻应变片的应变进行比较,结果表明两者试验数据吻合良好,为以FBG传感技术为核心的隧道结构健康监测系统的开发和应用提供了科学依据.     

芯片间数据传输速率可达1Tb/s的无线通信技术

以1Tb／s的数据传输速率实现芯片间的通信技术已经问世（见图1）。1Tb／s的传输速率是在以往ISSCC上所发布的芯片间通信技术中最快的传输速率，其平均传输速率的功耗和电路面积也是最小的。平均1Tb／s的功耗为3W，芯片面积仅有1mm^2（见表1）。     

生长温度对ZnO薄膜性能的影响

采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了不同生长温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.结果表明,随着生长温度的升高,ZnO薄膜的c轴晶格常数逐渐增大,a轴晶格常数逐渐变小,同时带隙相应逐渐增大.     

一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术

在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明,与相同条件下的体Si pMOSFET相比,空穴迁移率提高了25%.     

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.     

激光图形描绘机

XTC／3型薄膜沉积控制器可以高精确控制薄膜的沉积速率和厚度。为了确保质量一致，该控制器还具有可靠的防止模式跳变功能，并且有两种款型的控制能力高达99步工艺和999层薄膜。XTC／3可以与该公司的Crystal 12、Crystal Six以及双传感器配合使用，可以监控沉积速率连续的自发置换型晶体沉积。该系统还具有用于生产的高可靠性和可选择独立或是PC控制的特点。     

Bubble结构牺牲层腐蚀的一种改进模型

以往的牺牲层腐蚀模型把扩散系数看作是常数,然而,实验结果和以往模型的计算结果在腐蚀开始一段较短的时间内吻合较好,但随着腐蚀时间的变长两者的差异越来越明显.为了解释这一现象并使模型能够较好地预测腐蚀过程,提出了腐蚀模型应该考虑氢氟酸扩散系数是浓度的函数,并在此基础上得到了改进模型.在改进模型中,浓度的下降会引起扩散系数的增大,这部分补偿了腐蚀前端浓度的下降.另外在改进模型中,扩散系数还是温度的函数.实验表明,改进模型与实验结果吻合地较好.这些结果不仅为对牺牲层腐蚀机理的理解提供新的证据,而且也为溶液在bubble结构里面的扩散提供新的证据.文中所观察到的这些现象也适合于其他类型的牺牲层腐蚀,条件是其腐蚀过程是受扩散限制的.     

可控子窗口CCD图像采集技术的研究

CCD图像传感器是空间激光工程系统中常用的目标探测器件,但其较低的图像采集速率,往往成为其在具有快速目标探测和跟踪需求应用中的瓶颈.阐述了在CCD成像区实现对可控子窗口进行操作的工作原理,设计了实现可控子窗口CCD图像采集的具体时序工作模式,分析表明:在可控子窗口这种工作模式下,可有效地提高CCD图像传感器的帧速率.     

8位单片机的16位外部总线扩展与应用

随着电子设计技术的进步和芯片制造工艺水平的提高，16位和32位单片机的使用越来越广泛；但是8位单片机因其制造工艺成熟、价格低廉等特点，仍然在市场上占有相当大的比例，尤其在成本敏感和可靠性要求极高的汽车电子领域，更占有绝对优势。带有外部总线的8位单片机，可以方便地与8位总线设备（如A／D、RAM和CAN总线）相连。随着对传输性能要求的提高，出现了大量的16位总线设备（如网络接口芯片）。8位单片机要与16位总线设备相连接，通常的做法是利用I／O端口来模拟16位总线的读／写时序，数据传输速率较低，且原有的8位设备的传输速率也随之降低．因而限制了8位单片机的使用范围。本文提出一种8位单片机扩展16位外部总线的方法，在不影响原有8位器件的前提下，可实现对16位总线设备的高速存取；最后，介绍了如何利用该方法与IDE硬盘相连接，并应用于车载数据采集系统。