Li2O对低温烧结AlN陶瓷热导率的影响

使用CaF2,Y2O3和Li2Co3做添加剂，在1650℃的低温下制备出热导率高于170W/m.K的AlN陶瓷，通过使用SEM，TEM和XRD研究了AlN陶瓷在烧结过程中微结构与晶格参数的变化，并讨论了其对热导率的影响，研究发现，当使用CaF2-Y2O3做添加剂时，液相对晶粒浸润性较差，不利于AlN晶格的纯化，AlN热导率的增加主要来自于致密度的提高，而Li2O的加入则改善了液相与AlN晶粒的浸润性，从而促进了AlN晶格的纯化，有利于获得较高的热导率。     

SBT材料微结构的TEM研究

本文利用透射电子显微术(TEM)对 SrBi2Ta2O9 (SBT) 材料(单晶、陶瓷及薄膜)的微结构进行了研究. 在(001)取向的SBT单晶材料及多晶陶瓷中观察到90°铁电畴结构.在SBT晶体中观察到大量的条带状四度反相畴界结构和少量的三度反相畴界结构,利用TaO6氧八面体的扭转和四态自旋结构模型,对反相畴界结构的实验观测结果进行了解释.在(001)取向的SBT铁电薄膜中,观察到小角晶界(倾角为8 2°)的位错分解现象,导致不全位错和层错的出现.利用平衡状态下两个不全位错之间的排斥力等于层错的吸引力,估算了小角晶界处的层错能量,大小为0 27～0 29 J/m2.小角晶界位错的分解对(001)取向的SBT铁电薄膜漏电流及耐疲劳特性具有重要的影响.     

纳米二氧化钛表面组成及其微结构分析技术进展

介绍了纳米TiO2表面组成，微结构分析技术近年来的进展，光电子能谱技术包抱X光电子能谱（XPS）和俄歇光电子能谱（AES），光谱分析技术包括红外光谱（IR）和Raman光谱，显微分析技术中有扫描隧道显微镜（STM），原子动力显微镜（AFM）及扫描和透射电子显微镜（SEM，TEM），X射线分析技术主要是X射线衍射（XRD）。     

低损耗Mn-Zn功率铁氧体研究进展

介绍了低损耗功率铁氧体最新研究动向，其中包括阴离子对Mn-Zn铁氧体晶界特性的影响及其机理以及功耗与工艺参数及微结构的关系。     

溶胶—凝胶法制备TEOS—DOS基SiO2疏水减反射膜溶胶微结构对膜性能的影响

以乙醇为溶剂，正硅酸乙酯（TEOS，tetraethoxysilane）在氢氧化铵催化下水解缩聚为纳米尺度的无定型SiO2溶胶颗粒，二甲基二乙氧基硅烷（DDS，dimethyldiethoxysilane）在盐酸催化下水解缩聚为线状聚二甲基硅氧链。用混合溶胶在玻璃基片上旋转镀膜，然后于80℃空气气氛下热处理。实验证明通过DDS将疏水的双甲基链引入镀膜胶体，使膜兼具疏水性和减反射性能。利用激光散射粒度分析仪和电子显微镜研究了溶胶颗粒的粒度变化和聚集情况等溶胶微结构，用物理吸附仪研究了膜的孔结构，考察了热处理前后膜的疏水性和透射谱，得到了溶胶微结构与膜性能之间的关联。     

Li2O对低温烧结AlN陶瓷热导率的影响

使用CaF2,Y2O3和Li2CO3做添加剂,在1650℃的低温下制备出热导率高于170W/m@K的AlN陶瓷,通过使用SEM,TEM和XRD研究了AlN陶瓷在烧结过程中微结构与晶格参数的变化,并讨论了其对热导率的影响.研究发现,当使用CaF2-Y2O3做添加剂时,液相对晶粒浸润性较差,不利于AlN晶格的纯化,AlN热导率的增加主要来自于致密度的提高.而Li2O的加入则改善了液相与AlN晶粒的浸润性,从而促进了AlN晶格的纯化,有利于获得较高的热导率.     

真空微电子管的研究

综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性。同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与理论结果进行了比较。     

半导体超薄层微结构的外延生长技术

半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si外延等是在分子束外延和金属有机化学气相沉积基础上发展起来的几种新型超薄层外延技术。本文着重介绍了这些外延工艺的生长机理及其研究进展。