用于航空航天的抗辐射高分辨率光学编码器

航空航天技术的进步和发展使得该领域对于高精度、高准确度、抗辐射光学编码器的需求大为增加．基于该领域对编码器的精度、准确度、重量、装调等方面的要求,MicroE System公司研制了MercuryII型空间编码器。该编码器是1个基于光栅反射相干的编码系统,它包括3个主元件：编码标尺、读数头和处理电路。该系统为模块化设计,给定装调误差下,能够很容易实现编码器与其它系统的装配：在装配与运转过程中,其大的倾斜与位移公差使得它能够很好地满足航空航天领域的要求。该系统覆盖区小、重量轻,且操作过程的功耗小;另外,它还能在1个电路处理单元上连接多个读数头,且装调公差大,这些优点都使得它能够满足高标准应用要求。     

紫甘薯多糖对辐射的防护作用

探究在137Csγ-射线单次辐射下,紫甘薯多糖对小鼠辐射损伤的保护作用及机制。小鼠被分为5组:对照组、辐射模型组、多糖高、中、低剂量组。小鼠在照射前1 d,照后3、14 d检测外周血白细胞总数3次。在照后14 d,处死小鼠,观察多糖对小鼠的胸腺系数和脾脏系数、胸骨骨髓细胞的微核率、脾结节数的影响,测定小鼠血清中的SOD、CAT活性和MDA含量,肝、肾组织中的SOD、GSH-PX、CAT活性和MDA含量各项抗氧化指标。结果实验表明,在4 Gy137Csγ-射线辐射情况下,与辐射模型组进行比较,紫甘薯多糖对小鼠外周血白细胞总数、胸腺系数、脾脏系数、胸骨骨髓细胞的微核率、脾结节数都有显著提高;显著提高小鼠血清中SOD活性,提高脾、肾组织中SOD、GSH-PX和CAT活性,降低小鼠血清、脾、肾组织中MDA含量。结论紫甘薯多糖在体内对137Cs-γ射线辐射损伤小鼠具有保护作用。     

5种食用菌水提物生物活性的比较

目的：探究并对比草菇、灰树花、红菇、鸡腿菇、树舌5种食用菌水提物的抗氧化、免疫及辐射防护作用,为食用菌的开发利用提供理论依据。方法：采用苯酚硫酸法、考马斯亮蓝法、福林-酚法及氯化铝法分别检测5种食用菌水提物中总糖和粗多糖、总蛋白、总酚、总黄酮的质量分数;以2,2’-联氨-双(3-乙基苯并噻唑-6-磺酸)二胺盐(2,2’-azino-bis-(3-ethylbenzothiazoline-6-sulfonic acid),ABTS)阳离子自由基清除能力、2,2-联苯基-1-苦基肼(2,2-diphenyl-1-picrylhydrazyl,DPPH)自由基清除能力、羟自由基清除能力、总还原力4种抗氧化活性指标研究食用菌水提物的体外抗氧化能力;采用细胞计数试剂盒(cell counting kit-8,CCK-8)法检测食用菌水提物对巨噬细胞RAW264.7的促增殖活性;并以⁶⁰Co γ辐射氧化损伤小鼠肝细胞AML-12为模型,探究5种食用菌水提物的体外辐射防护作用。结果：草菇、灰树花、红菇、鸡腿菇、树舌5种食用菌水提物的主要成分中总糖含量占比最高,相应的总糖质量分数...     

基于FPGA的ASIC芯片抗辐射性能评估系统

针对航天电子控制系统对集成电路的抗辐射需求,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的全新架构的专用集成电路(ASIC)抗辐射性能评估系统。该系统基于FPGA高性能、高速度、高灵活性和大容量的特性,不仅具备传统芯片评估系统的能力,还具备精确判定失效事件发生时刻、被测ASIC时序、内部状态及大致的内部路径位置的能力。对该系统进行单粒子翻转(SEU)辐射试验,试验结果表明,在81.4 MeV·cm²·mg^-1的线性能量转移阈值下,该系统能自动判别没有发生SEU事件。目前,该系统已成功应用于自研高可靠性ASIC芯片抗辐射性能的评估。     

一种新型低功耗加固SRAM存储单元

提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元。采用NMOS管组成的堆栈结构降低功耗,利用单粒子翻转特性来减少敏感节点,获得了良好的可靠性和低功耗。Hspice仿真结果表明,该加固SRAM存储单元能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转比例为33.33%。与其他10种存储单元相比,该存储单元的面积开销平均增加了3.90%,功耗、读时间和写时间分别平均减小了34.54%、6.99%、26.32%。电路静态噪声容限大且稳定性好。     

深亚微米CMOS管总剂量辐照特性的对比研究

对深亚微米NMOS和PMOS管进行了⁶⁰Coγ总剂量辐射实验。实验结果表明,PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力更强。对NMOS管和PMOS管的辐照损伤机理进行了理论分析。分析结果表明,不同的衬底类型导致了PMOS管和NMOS管的辐照效应的差异。基于实验与分析结果,提出了一些深亚微米模拟IC的抗辐照设计方案。     

抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究

仿真研究了300 V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1 pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1 pC/μm),SEB电压呈负温度系数特性。重点分析了1 pC/μm LET时离化强度大的条件下SEB电压的碰撞电离分布和晶格温度分布,分析发现,功率VDMOS颈区JFET/P阱的pn结是SEB效应薄弱点,这得到了实验结果的验证。本模型计算的结果表明,当LET值大、器件工作温度高时,功率VDMOS器件的单粒子烧毁风险最大。该项研究结果为抗辐射加固功率VDMOS器件的应用提供技术参考。