离子渗金属机用锯条的研究

介绍一种以低合金钢为基材，齿部经双层辉光离子渗金属技术处理而具有近似高速钢成分的合金层的新型机用锯条。与传统的高速钢锯条相比，这种锯条的韧性大大改善，而成本大幅度降低。     

离子轰击镀对铀上铝镀层组织及防腐蚀性能的影响

研究了偏压镀、循环氩离子轰击镀和间歇式镀对铀上铝镀层组织及防腐蚀性能的影响．结果表明,3种离子轰击镀方法对铝镀层的组织产生强烈影响，且组织的致密程度与其防腐蚀性能呈现了较好的一致性．在-100V、-200V和-500V偏压条件下，镀层组织致密、防腐蚀性好；在-300V偏压下，镀层的致密性和防腐蚀性均差，未加偏压(0V)的次之；循环氩离子轰击镀和间歇式镀对提高镀层的致密性和防腐蚀性更为显著．离子轰击镀沉积的铝镀层均可不同程度地为铀提供好的保护效果．     

离子轰击对Be上Al膜的影响

以Be为基体 ,采用磁控溅射离子镀在其上镀制Al膜 ,研究了离子轰击对膜基界面和Al膜微结构的影响。研究表明 ,在薄膜沉积初期 ,施加高能量离子轰击和采取循环轰击镀能增加界面形成的Be、Al共混区宽度。不同能量的离子轰击对Al膜微结构有较大影响 ,不施加离子轰击 ,Al膜在 (111)面择优生长 ;随着轰击能量升高Al膜在(111)面择优生长趋势减弱 ,Al膜在 (2 0 0 )面生长趋势加强 ;当轰击能量超过一定值后 ,Al膜在 (111)面择优生长的趋势又得到加强。晶粒在低能量离子轰击时随轰击能量增加而细化 ,当较高能量离子轰击引起基体温度升高时 ,此时晶粒又变大了。     

离子轰击对致密T区结构Cr薄膜残余应力的影响

对于能量沉积技术,离子轰击是独立于晶粒尺寸之外影响残余应力的重要因素,沉积束流能量和通量是决定残余应力演化的关键参数。本文分别采用高功率调制脉冲磁控溅射 (Modulated Pulsed Power magnetron sputtering, MPPMS) 和高功率深振荡磁控溅射 (Deep Oscillation magnetron sputtering, DOMS) 控制沉积Cr薄膜的束流能量和通量,在相近的平均功率下调节微脉冲参数对峰值电流和峰值电压进行控制,进而实现离子轰击对本征残余应力控制。MPPMS和DOMS沉积的Cr薄膜厚度分别控制在 0.1、0.2、0.5、1.0、1.5 和 3.0 μm,并对残余应力进行对比研究。所有沉积的Cr薄膜均呈现 Cr(110) 择优取向,且形成了晶粒尺寸相当的致密T区结构。较之MPPMS,DOMS沉积Cr薄膜更呈现残余压应力特征。当Cr薄膜小于0.5 μm时,DOMS沉积Cr薄膜的残余应力表现出较高的压应力;进一步增加膜厚,残余应力逐渐受残余拉应力控制。在薄膜生长过程中,离子轰击在薄膜生长初期对残余应力贡献不大,当薄膜生长较厚时,离子能量对薄膜残余应力影响明显。离子能量是影响残余压应力形成的重要因素,高能量离子轰击有利于残余压应力的形成和控制。     

用弹道电子发射显微术研究超薄金属硅化物/硅肖特基接触

采用弹道电子发射显微术(BEEM)技术对超薄PtSi/Si、CoSi2/Si肖特基接触特性进行了研究,并与电流-电压(I-V)及电容-电压(C-V)测试结果进行了对比.研究了Ar离子轰击对超薄PtSi/n-Si肖特基接触特性的影响.BEEM、I-V/C-V技术对多种样品的研究结果表明,I-V/C-V测试会由于超薄硅化物层串联电阻的影响而使测试结果产生严重误差;BEEM测试则不受影响.随着离子轰击能量增大,肖特基势垒高度降低,且其不均匀性也越大.用BEEM和变温I-V对超薄CoSi2/n-Si肖特基二极管的研究结果表明,变温I-V测试可在一定程度上获得肖特基势垒在整个界面上的不均匀性信息,但它依赖于假设的势垒高度分布模型;BEEM测试则可直接获得金-半接触界面的肖特基势垒高度,近似为高斯分布.     

离子钨钼共渗的表观过程

研究了双层辉光离子钨钼相渗在离子轰击条件下形成渗层和无离子轰击时形成沉积层的表观过程。结果表明,在形成沉积层时,由于离子轰击作用已在不存在,使渗层厚度减少２６％,用朗缪尔探针对双层辉光离子钨钼共渗过程进行了等离子体的诊断,等离子体对表现成分有较大影响。合理的等离子体密度范围为５＊１０＾－１１－３＊１０＾１２。     

离子渗镍工艺的研究

研究了在改装后的双阴极辉光离子轰击炉地离子渗镍的工艺。与传统的镍工艺相比,具有愉,温度等优点,是一个很有开发前景的表面改性技术。     

离子轰击在玻璃蒸发镀膜中的应用

提出了在蒸发镀膜玻璃中引入离子轰击的方法，阐述了蒸发镀膜过程中离子轰击的工作原理，并运用断面电子描描显微观察，评价了离子轰击对薄膜附着性能的影响。     

新型硅材料

德国科学家开发出一种新型硅材料，它可以被用于加工微处理器或其他微型设备。据《新科学家：》杂志网站报道，这种新型硅材料被命名为“硅粘扣”。德国伊尔默瑙工业大学的研究人员用“黑硅”制成了这种硅粘扣，“黑硅”是普通硅被强激光束或高能离子轰击后产生的。     

21世纪化学热处理将由其它能助扩渗代替纯热扩渗

根据作者新开发研究的机械能助扩渗金属及广泛应用的离子轰击化学热处理等其它能助热扩渗技术，阐述了点阵缺陷扩散的扩散激活能小，致使新技术的扩渗温度大幅度降低，扩渗时间大幅度缩短，节能效果显著，并且设备投资少，产品质量高。在此基础上，提出在21世纪化学热处理将是其它能（包括机械能、离子束、电子束、激光、超声波、磁、电等）助热扩渗逐步完全取代传统的纯热扩渗。