一种主机与网络相结合的漏洞扫描工具的设计与实现

计算机安全问题是在信息化过程中急需解决的问题 ,而安全漏洞的发现对保护系统安全有着非常重要的意义。网络管理人员由于种种原因 ,很难及时、全面地测试系统的安全性。因此 ,设计一种能代替他们进行测试的工具就显得十分必要。本文首先对漏洞扫描的原理进行了分析 ,主要介绍了一种主机与网络相结合的安全漏洞扫描的设计及实现。     

快重离子在石墨中引起表面及体径迹的STM研究

用多种快重离子辐照高定向石墨（HOPG），借助扫描隧道显微镜（STM）系统地研究了表面及体内缺陷，结果表明，离子在表面及解理面上都形成了小丘状的缺陷，且在表面较容易形成，可以用非连续损伤径迹结构来对其进行解释。     

用金相显微镜分析化学镀镍故障

化学镀镍技术已在国民经济建设中得到了广泛的应用。我们为某油田采油部件研制了特殊的化学镀镍工艺，部件材质为含铬合金钢，采用化学镀镍工艺后，镀层表面均匀光亮，结合力良好，能满足较苛刻的工作环境要求。但生产中曾有一批镀件出现了问题，具体表现为镀层表面有大量...     

特征提取在硅内部微/纳米级体缺陷检测中的应用

提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法.给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在.这种分析方法具有分析速度快,在体缺陷小于1μm时分辨率高,且可使系统实现自动化等优点.     

电沉积Co—Ni合金的原子探针场离子显微分析

用位置敏感原子探针场离子的显微镜（ＰｏＳＡＰ）、ＴＥＭ、ＳＥＭ等方法研究了电沉积工艺参数对Ｃｏ－Ｎｉ合金微观结构的影响，结果表明，低频脉冲直流电沉积的Ｃｏ－Ｎｉ合金的平均晶粒尺寸为７０ｎｍ，恒稳直流电沉积的晶粒尺寸为１００ｎｍ。Ｃｏ原子在沉积层中呈均匀分布，且Ｃｏ含量随电解中Ｃｏ离子浓度增加而显著增加。当电解液中ＣｏＳＯ４含量为１７．５ｇ／Ｌ时，沉积层由εＣｏ和αＣｏ两相组成，ＰｏＳＡＰ数据的三维     

单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率

本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。     

激光扫描共焦荧光显微镜的电子控制系统研究

介绍了激光扫描共焦荧光显微镜的电子控制系统，为了提高激光扫描器的定位精度，在系统中提出采用基于闭环象素时钟发生器的检流计振镜所固有的扫描非线性失真补偿方案，减少输出图象的枕形畸变，实现行扫描空间位置的均匀性。在以细分梯形波电流驱动反应式步进电机情况下，根据实测θｉ曲线，用反插法求得与步进电机运行非均匀性相补偿的相电流波，从而获得在小电流情况下高角度均匀的步进电机细分运行特性。     

方块电阻测试中的有限元理论

介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性。由于有限元方法对边界没有限制，该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数，更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。     

p^＋—GaInAsSb／p—GaInAsSb／n—GaSb异质结红外探测器

ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱，红外吸收谱，Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。