In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

非晶硅基薄膜的等离子体刻蚀光发射谱检测

本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。     

海浪谱的光学探测及信息处理

建立了一套光学——计算机混合处理系统用以分析海浪航空底片,并得到了海浪方向谱和能谱。实验结果与现有的海浪理论符合较好,同时显示了该方法有可能发展成一种实用的实时海浪探测方法。     

轻钢加层后结构基频的简化分析

在城市旧房改造中，为充分利用原有结构，常采用加层改造的方法，其中加层部分轻钢结构应用较多，本文给出在轻钢加层后结构基频的简便计算方法。     

穆斯堡尔效应及分析在磁性材料研制中的应用

采用永磁(锶)铁氧体对其穆斯堡尔谱线进行分析得出取向度，说明取向度对磁性能的影响。因采取的原材料及工艺条件所限．样品的磁性能并不高，但所得结论对实际工作有一定的参考意义。     

鳍线特性的计算机分析

本文给出谱域法分析鳍线相位常数和特性阻抗的原理、程序及某些数值结果。由谱域法得到鳍线基模和高次模的相位常数和场分布,在此基础上,进一步给出模匹配法分析鳍线纵向不均匀性的公式、程序和某些计算结果。