十二烷基三甲氧基硅烷的合成

以三氯氢硅、1-十二碳烯为原料,在铂催化剂存在下合成出十二烷基三氯硅烷;并以溶剂法醇解得到十二烷基三甲氧基硅烷。考察了催化剂用量、原料配比、反应时间对加成反应的影响,溶剂、原料配比、温度等因素对醇解反应的影响。最佳反应条件为:在加成反应中,当铂催化剂与三氯氢硅的量之比为3.6×10-4∶1、三氯氢硅与1-十二碳烯的量之比为1.15∶1时,十二烷基三氯硅烷的收率达81%,反应在室温下无诱导期即可发生、且无需改变加料方式、反应时间短、副反应少、收率高;醇解反应采用溶剂法,将十二烷基三氯硅烷滴加到甲醇中,十二烷基三氯硅烷与甲醇的量之比为1∶3.2,底温控制在70℃,N2流量为80 mL/min,十二烷基三氯硅烷的滴加速度为1 mL/min,十二烷基三甲氧基硅烷的收率为85%。     

1.5万t/a三氯氢硅生产装置研究

对1.5万t/a三氯氢硅装置进行了研究,包括开发背景、生产技术、工艺流程、注意事项、原料及动力消耗、安全与环保等。     

三氯氢硅生产工艺的优化

分析三氯氢硅合成工艺、精馏工艺中存在的技术问题并进行了改进,介绍了技改取得的效果,并指出今后技改的方向。     

2种除三氯氢硅中硼、磷工艺的比较

介绍2种除三氯氢硅中硼、磷的方法,比较2种工艺的实际运行效果,树脂吸附法具有工艺流程短,操作简单,除硼、磷效果稳定等优势。     

四氯化硅氢化研究进展

综述了四氯化硅热氢化法、氯氢化法和等离子体氢化法制备三氯氢硅的最新进展,并对这3种技术进行了对比。     

工业乙烯基三乙氧基硅烷的GC—MS分析

对乙烯基三乙氧基硅烷工业品进行了GC－MS分析，发现其中含有甲基三乙氧基硅烷（1）和1，3－二乙烯基－1，1，3，3－四乙氧基二硅氧烷等杂质，主要杂质为化合物I，占3．27％。理论分析认为：在三氯氢硅与氯乙烯的高温热缩合反应中发生的副反应产生了甲基三氯硅烷，它进一步与乙醇反应生成化合物I；据此提出了一些解决的方法。     

合成条件对气相法白炭黑性能的影响

以甲基三氯硅烷、氢气、空气为原料,制备气相法白炭黑。考察了原料配比、骤冷介质温度、合成炉温度、原料气速对白炭黑的比表面积、平均粒径的影响。结果表明：甲基三氯硅烷、氢气的量之比与白炭黑的比表面积成反比;合成炉温、骤冷介质温度与白炭黑的比表面积、平均粒径成反比;原料气速与白炭黑的比表面积成正比,与平均粒径成反比。较佳工艺为：甲基三氯硅烷、氢气与空气的量之比为0.33∶0.47∶1,冷却介质温度80～90℃,炉温800～850℃,气体流速5～6 m/s。     

四氯化硅等离子体氢化技术研究进展

改良西门子法是生产多晶硅的主流工艺, 四氯化硅的氢化技术是其改良的关键。传统的热氢化和冷氢化方法存在着能耗高和转化率低的缺点。本文介绍了四氯化硅制备三氯氢硅的等离子体氢化技术, 概述了热等离子氢化方法, 主要包括直流放电等离子体法、高压射频等离子体法、低压射频等离子体法、微波等离子体法等, 简述了冷等离子氢化方法, 并对介质阻挡放电等离子体法进行了介绍和实验探索。对各种等离子体氢化方法进行了综合性的分类和分析讨论, 指出了现存各方法的优缺点, 提出了等离子氢化技术在工业化时的关键难题, 并对各种方法的应用前景进行了展望。     

基于ChemCAD的三氯氢硅尾气处理过程模拟及优化

通过ChemCAD流程模拟软件对实际年产7000 t三氯氢硅的生产流程进行模拟、分析,改进三氯氢硅合成所产生尾气的处理。原工况为合成气深冷分离废气进入三废系统,新工况将原工况的深冷后的气体压缩后再次深冷分离。使废气的排放量减小至原工艺的8%左右,减少了尾气排放的污染,产生了良好的经济和环境效益。     

三氯氢硅合成工艺及控制

介绍了三氯氢硅的基本性质、用途、生产工艺和生产设备,并针对生产过程的要求提出了控制解决方案。